高压侧LDO芯片的功率管类型选择

wuhanhan8 · 发表于 2023-8-18 14:36:51

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大家好，目前在做一个车规的一级电源电源芯片LDO，输入4V~40V，输入5V给MCU，之前的项目功率管用的P的DEMOS，用的DBH的.18MV工艺；看到工艺里还有pch_ldm_40V的LDMOS器件，仿真发现LDMOS比DEMOS的阻抗还小，在满足带载能力的情况下面积要小一半以上，请问为什么不用P型的LDMOS作为功率管呢？谢谢

wuhanhan8 · 发表于 2023-8-18 14:43:25

补充两个问题：1、通常的设计指导思想是工作在开关模式下就用LDMOS，工作在常开模式下就用DEMOS，这个不太理解，还请指点一下，谢谢！

2、好像说高压管的电流镜匹配不太好，这个的原因什么呢？

kidd_han · 发表于 2023-8-18 15:07:52

pld mos可能需要额外的光罩，会增加芯片成本

Gerome · 发表于 2024-4-26 13:45:17

楼主这个问题解决了吗，同求解释

举世无双花美男 · 发表于 2024-7-1 10:04:25

楼主这个问题解决了吗，同求解释

wuhanhan8 · 发表于 2024-8-20 20:11:56

举世无双花美男发表于 2024-7-1 10:04
楼主这个问题解决了吗，同求解释

目前我们就用的LDMOS，好像也没啥问题

RISEIwu · 发表于 2025-3-20 20:08:25

借楼问下大家，我这里设计的高压LDO输入电压范围为2~24V，我这里使用pch_ldm_sp_24V的功率管，功率管源体不短接。源体之间有二极管正向偏置，这里面积会小好多。但是在仿真工艺角ff时发现轻空载时DC仿真输出电压输出异常，特别是超过18V时。不知道大家有没有很好的解决方案。因为我这里的竞品也是pdemos，但是我们能使用的工艺的pdemos的最小沟长较大，影响版图面积。

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