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查看: 1388|回复: 5

[求助] cross-coupled VCO 电源电压如何确定?

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发表于 2023-8-17 09:21:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
100资产
看了一些文献,也做了一些仿真,通常将VCO的电源电压确定在VDD/2~VDD之间,基于架构的不同而有所不同;
有3个问题:

1.最简单的带尾电流的NMOS VCO,在实际仿真的时候,电源电压确定为VDD/2,hb报错超压(10%VDD),但是瞬态仿真没有这个问题,这种应该以什么为准呢?
2.VCO的摆幅,为了最好的相噪,摆幅尽量做大,需要到满摆幅,Vpp≈2VDD?
3.管子的SOA(安全工作区),这种超压的waring如何看待,会有可靠性问题吗?
以上,希得到论坛大佬解答~

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好久不见胡老师。对于超压来说,Vds的超压应该是hard rule,无论如何都不要超压。超压不能大于10%。Gate对其他点的超压,是有余量的,这个余量不小,但是也别瞎超。如果你做的没有AC Couple Gate点,那你的摆幅最大还是别超过VDD吧。
发表于 2023-8-17 09:21:45 | 显示全部楼层
好久不见胡老师。对于超压来说,Vds的超压应该是hard rule,无论如何都不要超压。超压不能大于10%。Gate对其他点的超压,是有余量的,这个余量不小,但是也别瞎超。如果你做的没有AC Couple Gate点,那你的摆幅最大还是别超过VDD吧。
发表于 2023-8-17 09:51:40 | 显示全部楼层
hb是啥
发表于 2023-8-22 14:05:19 | 显示全部楼层
超压会影响寿命,可以根据超压时间算出管子寿命
发表于 2023-8-22 14:13:46 | 显示全部楼层


无论hb和tran都不要超压,hb和tran的波形应该仿真出来是一致的。

超压影响管子寿命。
 楼主| 发表于 2023-8-27 10:56:27 | 显示全部楼层


JoyShockley 发表于 2023-8-22 14:13
无论hb和tran都不要超压,hb和tran的波形应该仿真出来是一致的。

超压影响管子寿命。


了解了,感谢
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