HBM ESD pass 8K，客户端系统ESD 2.5V fail

max_max · 发表于 2023-9-21 09:11:12

静电枪打的话是不是类似MM模式，对放电时间和放电电流要求更高

yian0321 · 发表于 2023-9-22 18:24:17

ESD-HBM和IEC-GUN差异很大的，但是ESD-HBM可以过8KV,IEC-gun 2.5KV fail，这差距有点大，我看回复的IEC-GUN测试步骤，脉冲间隔太短，次数也多，目前我们测试只做正负10次间隔1S

gratwo · 发表于 2023-11-30 17:03:51

dwflove 发表于 2023-8-17 10:43
用单芯片带电仿系统板环境也能pass 8K，但系统板就是不能过，目前在安排测EMMI，查看失效位置。 ...

系统板的esd 保护（TVS）做了吗？

HBM也能过8KV，5.2A。 2.5K IEC，差不多6~8A，这个比5.2A也大不了多少
EGUN时候TVS根本没有起作用？

gratwo · 发表于 2023-11-30 17:07:24

dwflove 发表于 2023-8-18 19:19
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看起来是没有TVS，直接怼芯片引脚？

2.5K E-GUN可是7A多啊

PAD上电压超过栅极耐压也是有可能的........

fei_SH · 发表于 2023-12-1 11:22:42

2.5KV E-gun是9.3A，HBM 8KV是5.3A，光看电流就差很多，如果没有外部的TVS，HBM过8KV本来就不能过电子枪的2.5KV。而且电子枪上升时间更快，ESD器件不合适的话启动太慢内部也是扛不住的。

hijackerhaha · 发表于 2023-12-2 11:33:08

没做二级保护吧，让电流直接串到内部器件gate上了，估计要串个大电阻，给一级保护器件足够的泄放时间

dwflove · 发表于 2023-12-8 14:38:15

通报一下，从目前改版的结果来看，有改善，从书上得知电子枪的ESD测试也有可能会触发内部latch-up的产生，所以修改了附近的VDD通路，目前改善后版本可以PASS 5K，但老版本也可以通过3.5K（和环境有很大的关系）

gan_punk · 发表于 2023-12-12 10:25:29

根据Onsemi的估算，HBM电流与IEC-61000-4-2电压的对应关系是2A/kV, 也就是HBM电压3kV对应IEC 1kV, HBM 8kV 对应2.67kV IEC, 所以客户端看到IEC 2.5kV fail 也有可能；当然上述都是基于分立器件的，失效位置是gate可能是EOS进入内部电路了，不知道内部电路阻抗有多大？失效只有gate损坏吗，ESD保护是否完整？IEC下的电压和HBM下clamp的电压是不同的，瞬间会高于设定的HBM Vt1, 如果内部电路没有合适的防护，确实会有高压串到里面

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