MOS电容积累区寄生电阻比强反型区大？？？

vannylee · 发表于 2023-7-27 08:52:14

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大佬们，请问为什么MOS电容工作在积累区的寄生电阻会比工作在饱和区大呢？这该怎么解释啊

vannylee · 发表于 2023-7-27 08:53:24

vannylee · 发表于 2023-7-27 08:59:05

第二个问题想问一下，为什么高频下的MOS电容C-V曲线是这样呢？在栅压大于阈值电压时，似乎无法形成沟道？该怎么解释容值这么小啊？

图片1.png

icdane · 发表于 2023-7-27 09:01:15

Accumulation region: device completely off, acting like a cap only.

vannylee · 发表于 2023-7-27 09:06:43

icdane 发表于 2023-7-27 09:01
Accumulation region: device completely off, acting like a cap only.

所以你的意思是积累区的时候因为MOS关闭了，所以寄生电阻大？

tommy1993 · 发表于 2023-7-27 09:17:30

vannylee 发表于 2023-7-27 08:59
第二个问题想问一下，为什么高频下的MOS电容C-V曲线是这样呢？在栅压大于阈值电压时，似乎无法形成沟道？该 ...

衬底形成耗尽层，相当于平行板电容器之间的间距增大了，电容当然会减小。继续增大栅压，耗尽层厚度保持不变，电容也保持不变。

xdf666 · 发表于 2023-7-27 09:55:17

zc1993 发表于 2023-7-27 09:17
衬底形成耗尽层，相当于平行板电容器之间的间距增大了，电容当然会减小。继续增大栅压，耗尽层厚度保持不 ...

终于懂了，以前上课看到过，但一直没懂。

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