基于TSMC65N，我用1.2V的mos管作mos电容对运放做密勒补偿电容为什么会影响低频增益？

xiaokalami

一个二级运放，我在第二级输出加了一个mim电容和mos电容并联的电容负载，在第二级输出和第二级输入加了（即D、G）一个mim电容和mos电容并联的电容，然后串联调零电阻，结构大致是这样。
问题：因为整个电路是1.2V域的，因此我做mos电容用的mos管也是1.2V的管子，但是我用了之后仿真发现环路增益下降了大概20-30dB。这肯定不行。后来换了1.8V的mos管做电容发现不会影响环路增益。
这是为什么？虽然电路做好了，但是一直有这个疑惑，我用的是TSMCN65的工艺库，想问问为什么1.2V的管子会出现这种问题？

thomas9211

leakage

xiaokalami

thomas9211 发表于 2023-7-22 19:17
leakage

1.2V的管子leakage的原因是什么？烦请大佬解答一下，感谢

knowworlds

65的core管应该是1.2V吧。Core管leakge一直都比较大。你要不用length最大的core管，要么保险就是IO管。但是正常来说core管leakage直接影响到了你环路增益的情况我碰的比较少，你是不是gate上加了很大的滤波电阻去noise。导致这个leakage被放大了。