如何避免P型注入

625758134 · 发表于 2023-7-20 21:01:22

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目前采用的N阱CMOS 工艺，衬底部分默认是p型注入，最近老板要求在版图的一块区域要避免p型注入，有没有一个标识层可以避免在版图的某一区域上进行p型注入啊？采用的SMIC130nm 工艺，找工艺层相关的说明文件，没有找到避免p型注入的标识层。大佬们有没有类似的经验

andyfan · 发表于 2023-7-20 21:26:13

没看懂你的意思，标准CMOS工艺可以用NATIVE来避免PWELL注入，但衬底就是P型的，是生成之前就有的，避免不了。

zhf4655290 · 发表于 2023-7-21 08:44:38

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