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[求助] ESDrule这里有几条不懂,求助

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发表于 2023-7-5 09:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式

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6.3:maximum ground bus res between a signal pad's ground connection to the other pad is 2Ω...读不懂

6.5:为什么drain作扩散区边沿就会有寄生三极管管效应,而source作扩散区边沿没有?有图能解释一下吗
1.png
发表于 2023-7-5 09:59:08 | 显示全部楼层
6.3: 金属电阻 << 2ohm... 否则 ESD 击穿期间电压降太大
6.5: drain 连接到 pad... drain 如果边缘 -> 寄生 BJT on 可减少 ESD rating 由于仅边缘 BJT on
发表于 2023-7-5 10:05:23 | 显示全部楼层
差不多就是楼上说的意思
发表于 2023-7-5 10:19:36 | 显示全部楼层
关于第二条,为什么drain作扩散区边沿就会有寄生三极管管效应,而source作扩散区边沿没有?
无论drain和source怎么摆放,只要是mosfet,就会有寄生的BJT。但是想开启寄生BJT泄放ESD电流有一个很重要的因素,就是衬底的寄生电阻。你把drain摆在靠近guardring的位置,衬底寄生电阻太小,该器件无法起到泄放ESD电流的作用。
发表于 2023-7-7 11:23:07 | 显示全部楼层


沐风彡 发表于 2023-7-5 10:19
关于第二条,为什么drain作扩散区边沿就会有寄生三极管管效应,而source作扩散区边沿没有?
无论drain和sou ...


最近在做io时,遇到了将drain端作扩散边沿的管子  请问一下大佬,这样做有什么理论上的优点吗?


发表于 2023-7-7 19:58:33 | 显示全部楼层
Thanks
发表于 2023-7-9 16:12:09 | 显示全部楼层


Andyou 发表于 2023-7-7 11:23
最近在做io时,遇到了将drain端作扩散边沿的管子  请问一下大佬,这样做有什么理论上的优点吗?


大佬不敢当。
我没太明白你说的这种MOS管的结构,可否详细描述一下?
发表于 2023-7-10 09:44:42 | 显示全部楼层


沐风彡 发表于 2023-7-9 16:12
大佬不敢当。
我没太明白你说的这种MOS管的结构,可否详细描述一下?


这个是ldmhs_24v的nmos 我们在做io时,外延两端被当作drain来使用  
微信图片_20230710094410.png
发表于 2023-7-10 09:49:58 | 显示全部楼层


Andyou 发表于 2023-7-10 09:44
这个是ldmhs_24v的nmos 我们在做io时,外延两端被当作drain来使用


不好意思,你这种结构的ESD器件我还是第一次见,我也不太懂~
发表于 2023-7-10 10:33:40 | 显示全部楼层
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