各位大佬，这个N阱电容中的p有什么作用啊

srjsty

powerboy711 发表于 2023-7-3 09:08
那P+,N+是短接的么？

您好，我修改了一下图，P+和N+按自己需要接，符合他们之间的耐压条件就可以

srjsty

이지은 发表于 2023-7-3 17:14
没问题啊，pmos就是nwell阱啊，源漏p注入，明显就是做moscap的嘛

您好，我修改了一下图，这个是NWELL电容，不是MOSCAP。

srjsty

이지은 发表于 2023-7-3 10:35
这是moscap吧。。gate接上级板，SDsub接同一电位的moscap吧，两个p是源漏

您好，是NWELL电容，图我画的更详细了一点。不明白这个红色P拿来干嘛的

이지은

srjsty 发表于 2023-7-3 17:37
您好，我修改了一下图，这个是NWELL电容，不是MOSCAP。

看剖面也不是什么NWELL电容啊，就算你p注入换成n了，这叫NCAP，就是nmos放n阱的一个mos做的cap，本质还是mos管，这样Vgs是低于sub电位的，可以理解为Vth为负值的mos管电容随栅电压变化而变化，其特性相当于一般mos在反型区的特性，积累/反型，这样做C会比正常moscap的C小很多，但不会像moscap对栅电容敏感，会很稳定

srjsty

이지은 发表于 2023-7-3 17:50
看剖面也不是什么NWELL电容啊，就算你p注入换成n了，这叫NCAP，就是nmos放n阱的一个mos做的cap，本质还是 ...

课是我是从NWELL的PCELL画的纵剖图。

powerboy711

srjsty 发表于 2023-7-4 10:02
课是我是从NWELL的PCELL画的纵剖图。

你的symbol是三端器件，分别是正负极，sub，红色的P应该是sub接触，所以你P的位置画的不对，应该位于PSUB区域上