LDO采用预稳压结构的目的

mmkyy · 发表于 2024-12-18 09:10:59

本帖最后由 mmkyy 于 2024-12-18 09:12 编辑

这个看起来是个低噪声LDO。LDO主要的噪声来自于参考电压，参考电压上的噪声还会被闭环增益放大。这个结构先通过预稳压电路加上带宽较低的RC低通滤波，把参考电压的中高频噪声滤除，同时也允许调整R1/R2比值来调节V2点电压。误差放大器结成单位增益，用尽可能小的闭环增益，最大程度抑制参考源的噪声。

linuxman · 发表于 2024-12-18 09:41:10

應該出自:一种超高PSRR低噪声LDO的设计
"针对经典低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)低、输出噪声大的问题,设计了一款采用预稳压调制级加低通滤波结构的LDO.将反馈电阻网络提前加载在电路的低通滤波模块中,使得带隙基准模块噪声和反馈电阻噪声被低通滤波模块滤除,以达到降低噪声的目的.电路采用具有高PSRR带隙基准电路和增大环路低频增益的方式,以提高低频条件下LDO的PSRR.采用零极点追踪电路,在保证LDO稳定性的同时拓展环路带宽,以提高高频段条件下的PSRR.芯片基于 5V 0.18 μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺设计.仿真结果表明,在频率为 1 kHz 和100 kHz时,PSRR分别可达-109 dB和-66.7dB;当负载电流为 250 mA时,在 10Hz到 100 kHz频率范围内的积分噪声约为6.1 μVrms.设计的LDO具有较高的PSRR和较低的噪声."

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