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[求助] MOS管的工作区

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发表于 2023-5-26 22:20:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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这个管子处于线性区,但是Vgs-Vth=116.649<Vds=125.778,按照之前学习的知识,不应该是处于饱和区吗,是因为Vdsat=149.354>Vds=125.778吗?请各位大神解答一下
 楼主| 发表于 2023-5-27 09:58:05 | 显示全部楼层
我看到一个帖子说Vdsat在长沟道工艺下等于Vov=Vgs-Vth,但在先进制程下已偏离Vov,可以根据Vds-Vdsat来判断管子的工作状态,比如Vds-Vdsat>0就认为在饱和区了
发表于 2023-5-27 10:38:56 | 显示全部楼层
Vds大于Vdsat 才处于饱和区
 楼主| 发表于 2023-5-27 10:47:51 | 显示全部楼层
我还看到一个帖子说他的管子出现region=3,但是此时Vds-Vdsat>0,按照正常情况下,管子应该是处于亚阈值区的,此时应该怎么判断
发表于 2023-5-27 14:23:32 | 显示全部楼层


一叶方舟 发表于 2023-5-27 10:47
我还看到一个帖子说他的管子出现region=3,但是此时Vds-Vdsat>0,按照正常情况下,管子应该是处于亚阈值区 ...


Vth-10Vt<Vgs<Vth region是3,Vt是热电压。BSIM4里有说明
 楼主| 发表于 2023-5-27 15:40:06 | 显示全部楼层


所以就是先判断Vgs是否大于Vth,若小于,则处在亚阈值区;若大于,再看Vds是否大于Vdsat来判断是线性区还是饱和区
发表于 2023-5-27 17:34:29 | 显示全部楼层
说下我的看法,有不对的地方请指正。

关于管子的工作状态,
1.首先比较Vgs和Vth,看是weak inversion还是strong inversion。
1.1. Vgs<=Vth,mos工作在中、弱反型区
1.2. Vgs>Vth,mos工作在强反型区
但两者都存在漏极电流饱和,因此都有对应的Vdsat。

从fig1也可以看出随着Vgs的增加,越接近速度饱和区,vdsat小于Vgs-Vth。
找了张Razavi书中的图 fig2,这时候很明显Vds没到Vgs-Vth电流ID就已经饱和。

2.再比较Vds和Vdsat,
在1.1的条件下,mos工作在亚阈值区(也就是region=3).
在1.2的条件下,工作区间取决于Vds和Vdsat
2.1 Vds<vdsat,mos 处在triode区间,也就是region=1.
2.1 Vds>vdsat,mos 处在saturation区间,也就是region=2.





fig.1

fig.1

fig.2

fig.2

fig.3

fig.3
 楼主| 发表于 2023-5-27 19:28:41 | 显示全部楼层


yfchao2333 发表于 2023-5-27 17:34
说下我的看法,有不对的地方请指正。

关于管子的工作状态,


我觉得说得非常有道理,谢谢你
发表于 2023-5-27 21:10:46 | 显示全部楼层
本帖最后由 tsod 于 2023-5-27 22:13 编辑

这么多年,好像这个问题在论坛上已经成了玄学了。
根据BSIM4模型,Spectre就是按照如下标准判断MOSFET REGION的。

1:TRIODE:Vgs > Vth & Vds < Vdsat;
2:SATURATION:Vgs > Vth & Vds > Vdsat;
3:SUBTHRESHOLD:Vth-10*Vtm < Vgs < Vth;
4:OFF:Vgs < Vth-10*Vtm



Snipaste_2023-05-27_21-08-42.png
Snipaste_2023-05-27_22-00-35.png
Snipaste_2023-05-27_22-01-23.png

BSIM4_4.8.2_technical_manual.pdf

3.71 MB, 下载次数: 21 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

如果有任何疑问,详细研究官方手册

发表于 2023-5-28 09:30:10 | 显示全部楼层
谢谢
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