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查看: 1514|回复: 13

[求助] 关于射频开关的一些疑惑

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发表于 2023-5-11 19:09:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想求助一下各位老哥们,自己在设计一款高切换速度的射频开关(百ns以内),结果发现开关的谐波性能比较差,二次谐波抑制70dbc,三次谐波抑制56dbc,经过查询资料发现开关的尺寸和堆栈数对谐波性能都有影响,我想问问大家除了改变尺寸和堆数,还有什么其他办法改善谐波性能吗?或者大家有一块设计射频开关的老哥们,也可以加Q讨论:3196271865.第一次发帖,诚惶诚恐,感谢大家的讨论与解答
发表于 2023-5-11 19:19:06 | 显示全部楼层
什么工艺啊,最大功率多少,频率范围多大啊
 楼主| 发表于 2023-5-11 19:22:19 | 显示全部楼层


522526tl 发表于 2023-5-11 19:19
什么工艺啊,最大功率多少,频率范围多大啊


SOI .13工艺,功率处理能力30dbm,频率范围0.1G-6G
发表于 2023-5-11 19:33:14 | 显示全部楼层


sityrer123 发表于 2023-5-11 19:22
SOI .13工艺,功率处理能力30dbm,频率范围0.1G-6G


off有用负压偏置吗,这样谐波会好很多
 楼主| 发表于 2023-5-11 19:38:34 | 显示全部楼层


522526tl 发表于 2023-5-11 19:33
off有用负压偏置吗,这样谐波会好很多


感谢您的回复,栅极偏置是±2.5V体端偏置是0和-2.5V
发表于 2023-5-11 19:49:39 | 显示全部楼层


sityrer123 发表于 2023-5-11 19:38
感谢您的回复,栅极偏置是±2.5V体端偏置是0和-2.5V


OFF的stack数量少,对应的BS,BD结更容易导通,非线性电容影响比较大,增大stack可以减小非线性电容的影响;ON的管子尺寸可以加大,减小非线性电阻的影响,另外偏置电阻的阻值也有一些影响。我看你切换时间要求挺高的,管子尺寸增大跟偏置电阻增大会降低切换时间,可以试试增强切换时间的电路结构。
发表于 2023-5-11 19:57:18 | 显示全部楼层
这个切换时间确实高
 楼主| 发表于 2023-5-11 19:58:18 | 显示全部楼层


522526tl 发表于 2023-5-11 19:49
OFF的stack数量少,对应的BS,BD结更容易导通,非线性电容影响比较大,增大stack可以减小非线性电容 ...


我用的电路是在切换时候绕过栅极电阻的结构,加大栅极电阻其实感觉对切换时间影响不大,这个可以试一试,感谢您的帮助,非常感谢!!!
发表于 2023-5-11 22:15:58 | 显示全部楼层


sityrer123 发表于 2023-5-11 19:58
我用的电路是在切换时候绕过栅极电阻的结构,加大栅极电阻其实感觉对切换时间影响不大,这个可以试一试, ...


我们的切换时间要求没那么高,所以暂时也用不到这些提升切换时间的结构
发表于 2024-1-16 14:30:00 | 显示全部楼层
多少路的开关啊?
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