关于射频开关的一些疑惑

sityrer123 · 发表于 2023-5-11 19:09:49

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想求助一下各位老哥们，自己在设计一款高切换速度的射频开关（百ns以内），结果发现开关的谐波性能比较差，二次谐波抑制70dbc，三次谐波抑制56dbc，经过查询资料发现开关的尺寸和堆栈数对谐波性能都有影响，我想问问大家除了改变尺寸和堆数，还有什么其他办法改善谐波性能吗？或者大家有一块设计射频开关的老哥们，也可以加Q讨论：3196271865.第一次发帖，诚惶诚恐，感谢大家的讨论与解答

522526tl · 发表于 2023-5-11 19:19:06

什么工艺啊，最大功率多少，频率范围多大啊

sityrer123 · 发表于 2023-5-11 19:22:19

522526tl 发表于 2023-5-11 19:19
什么工艺啊，最大功率多少，频率范围多大啊

SOI .13工艺，功率处理能力30dbm，频率范围0.1G-6G

522526tl · 发表于 2023-5-11 19:33:14

sityrer123 发表于 2023-5-11 19:22
SOI .13工艺，功率处理能力30dbm，频率范围0.1G-6G

off有用负压偏置吗，这样谐波会好很多

sityrer123 · 发表于 2023-5-11 19:38:34

522526tl 发表于 2023-5-11 19:33
off有用负压偏置吗，这样谐波会好很多

感谢您的回复，栅极偏置是±2.5V体端偏置是0和-2.5V

522526tl · 发表于 2023-5-11 19:49:39

sityrer123 发表于 2023-5-11 19:38
感谢您的回复，栅极偏置是±2.5V体端偏置是0和-2.5V

OFF的stack数量少，对应的BS，BD结更容易导通，非线性电容影响比较大，增大stack可以减小非线性电容的影响；ON的管子尺寸可以加大，减小非线性电阻的影响，另外偏置电阻的阻值也有一些影响。我看你切换时间要求挺高的，管子尺寸增大跟偏置电阻增大会降低切换时间，可以试试增强切换时间的电路结构。

追魂 · 发表于 2023-5-11 19:57:18

这个切换时间确实高

sityrer123 · 发表于 2023-5-11 19:58:18

522526tl 发表于 2023-5-11 19:49
OFF的stack数量少，对应的BS，BD结更容易导通，非线性电容影响比较大，增大stack可以减小非线性电容 ...

我用的电路是在切换时候绕过栅极电阻的结构，加大栅极电阻其实感觉对切换时间影响不大，这个可以试一试，感谢您的帮助，非常感谢！！！

522526tl · 发表于 2023-5-11 22:15:58

sityrer123 发表于 2023-5-11 19:58
我用的电路是在切换时候绕过栅极电阻的结构，加大栅极电阻其实感觉对切换时间影响不大，这个可以试一试， ...

我们的切换时间要求没那么高，所以暂时也用不到这些提升切换时间的结构

LiYingMing · 发表于 2024-1-16 14:30:00

多少路的开关啊？

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