OD 和 DOD

David.Z

在项目收尾阶段DRC 检查有OD density 不足的问题，我加dummy OD 会有限制，不允许放在CHIP的四个角上，所以我直接用OD 加PPLUS做成10 * 10的小方块在空白区域加了一片，请问大佬们这么做有没有问题，按我的想法是就是芯片一个区域有一片悬空未接电平的有源区，相当于就是挖了几个坑在那儿没用而已，对芯片没有啥影响。

DRC CHECK也是通过的。

591954064

借楼问问“不允许放在CHIP的四个角上”，是指sealring的四角要做成45°吗

David.Z

   

591954064 发表于 2023-4-4 10:28
借楼问问“不允许放在CHIP的四个角上”，是指sealring的四角要做成45°吗

我都是用的厂商给的sealring，有斜角的也有直角的。

powerboy711

你说的空白区域是sub？如果是的话，你最好把这些 od 接到sub电位，否则这些都是soft connect；其实sub区域可以做连通的od加pplus，不是一定要10*10的

梅希

同意四楼说的，有源区不要电位浮空，附近接入就可以，前提没有什么特殊要求。

David.Z

   

powerboy711 发表于 2023-4-4 14:35
你说的空白区域是sub？如果是的话，你最好把这些 od 接到sub电位，否则这些都是soft connect；其实sub区域 ...

你好，感谢你的回复，我现在还有个疑问请教一下，就是如果我不接就保持浮空，Soft Connect，后续会有哪些风险呢。

powerboy711

   

David.Z 发表于 2023-4-6 09:11
你好，感谢你的回复，我现在还有个疑问请教一下，就是如果我不接就保持浮空，Soft Connect，后续会有哪些 ...

floating p上如果有高压电源线通过，会导致反型，恰好p周围有相邻两个nwell，导致有穿通风险。2，soft connect 可能导致衬底局部不时最低电位，存在lup风险，当然这些都只是有可能，而为了避免这种麻烦最好都接最低电位。

xxelement

请教OD和DOD指的啥？

David.Z

   

xxelement 发表于 2023-4-6 11:03
请教OD和DOD指的啥？

OD 是有源区active area   DOD 就是dummy OD

David.Z

   

powerboy711 发表于 2023-4-6 11:01
floating p上如果有高压电源线通过，会导致反型，恰好p周围有相邻两个nwell，导致有穿通风险。2，soft co ...

好的，谢谢了