关于Constant gm电路设计问题

RF_IClearn · 发表于 2023-3-16 14:52:31

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如图所示，按照理论分析，M1管的gm应该和VDD、MOS器件参数无关，实际仿真过程中发现，M1的gm温漂比较明显，这是为什么？
另外还有一个问题就是，用constant gm偏置的NMOS尺寸是不是最好和M1相同？

SeaTee · 发表于 2023-3-16 16:44:41

电流跟电阻有关，gm跟电流有关
实际做的过程中是要一致的，好匹配

xuwenwei · 发表于 2023-3-16 16:55:31

你自己写了 gm和电压无关，没说和温度无关啊，你仿真和温度有关不是正常的吗

RF_IClearn · 发表于 2023-3-17 14:19:34

xuwenwei 发表于 2023-3-16 16:55
你自己写了 gm和电压无关，没说和温度无关啊，你仿真和温度有关不是正常的吗 ...

因为理论分析是和MOS参数无关，而我用的是理想的RES，所以就产生了疑问

xuwenwei · 发表于 2023-3-17 14:25:05

RF_IClearn 发表于 2023-3-17 14:19
因为理论分析是和MOS参数无关，而我用的是理想的RES，所以就产生了疑问

一般仿真结果和理论还是有差距的，毕竟理论都忽略很多的二阶效应

RF_IClearn · 发表于 2023-3-17 14:37:29

xuwenwei 发表于 2023-3-17 14:25
一般仿真结果和理论还是有差距的，毕竟理论都忽略很多的二阶效应

嗯嗯，也是

hi_china59 · 发表于 2023-3-17 15:06:37

M1=(W/L), M2=k(W/L), where we usually choose k=4.

RF_IClearn · 发表于 2023-3-17 16:00:41

SeaTee 发表于 2023-3-16 16:44
电流跟电阻有关，gm跟电流有关
实际做的过程中是要一致的，好匹配

感谢

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