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[求助] CMOS工艺下有哪些非易失存储器方案

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发表于 2023-3-13 22:01:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想请问一下,对于常用的CMOS工艺,比如像是台积电28nm、40nm、65nm的工艺节点,芯片内部可以实现可编程的非易失存储器吗??就是掉电过后数据不会丢失的那种。
有哪些可供选择的方案呢??



发表于 2023-3-14 07:06:22 | 显示全部楼层
emBedded NOR flash  !!!  但是不便宜 , 并且因制程而异 (可能有, 或是没有)
所以最后评估结果, 都是选择外挂NOR , 因为NOR flash , tsmc肯定输给旺宏, 华邦 !!!!!
这事就不用多想了, 30年前就发生!!!
发表于 2023-3-14 08:14:03 | 显示全部楼层
常规的逻辑工艺就是ROM和EFUSE;其他其实都是基于逻辑工艺改的,比如embeded flash,哪个就多了,基本都是要加MASK的,eflash,rram,mram等等。
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