gmid设计折叠共源共栅疑问

youngyq

使用的的折叠共源共栅的电路的结构，如下所示。根据设计目标GBW=50MHz要求，得到了gm值，设定gmid=16，得到放大管所在支路电流为I=117.5uA,然后折叠共源共栅电路两条支路定义电流为0.2倍I，即为23.5uA，然后按照此设计后，得到的静态工作电流有问题。


折叠共源共栅电路两条支路电流实际仿真为900nA，按照设计应该还是23.5uA才对，我开始认为是折叠共源共栅的最上面的两个PMOS限制了电流，后来调大宽长比之后，电流依然为900nA左右，故排除。此外其他管子的栅极电压都是由偏置电路二极管连接提供的电压，按理说，应该都没问题，所以现在就是不清楚为什么是900nA，不清楚原因，故求助。
电路中各个mos管子的宽长比和静态工作点如下图所示：

Vawell

nm1 nm3电流给小了，管子尺寸不合理，你这个pvt仿真基本很难满足gain和pm之类的参数

youngyq

   

SeaTee 发表于 2023-3-6 20:01
nm1 nm3电流给小了，管子尺寸不合理，你这个pvt仿真基本很难满足gain和pm之类的参数 ...

不太理解，这个nm1，nm3是按照左边偏置电路的nmos diode接过来的，宽长比是偏置电路的0.6倍，偏置nmos能流过235uA，自然nm1和nm3应该能流过0.6倍*235uA

yjj_123

NM3和NM1的Vds太小了，导致它镜像的电流变少，一个是加大电路中的沟长，一个是调整bias1和bias2让NM3和NM1的Vds变大到接近被镜像管NM5的Vds

ChaselYe

   

youngyq 发表于 2023-3-7 08:40
不太理解，这个nm1，nm3是按照左边偏置电路的nmos diode接过来的，宽长比是偏置电路的0.6倍，偏置nmos能 ...

源端电压都不一样，咋成比例复制

youngyq

   

ChaselYe 发表于 2023-3-7 10:20
源端电压都不一样，咋成比例复制

NM1 与NM3栅极电压是一样的，源级电位都是接地

战神盖瑞

用宽长比缩放的方式copy的电流很不准的，不同宽长比的管子阈值电压差异很大，建议用m和finger的方式

战神盖瑞

而且你的沟道还只有200nm，vds影响太大了

zhang_senlin

建议先去看看电流镜，了解一下沟道长度调制效应，你应该就明白了；L大一些，减小λ，相同宽长比，修改multiplier、fingers

youngyq

   

zhang_senlin 发表于 2023-3-7 11:23
建议先去看看电流镜，了解一下沟道长度调制效应，你应该就明白了；L大一些，减小λ，相同宽长比，修改multi ...

好的，大概明白了，应该是短沟道器件，调制效应明显，VDS对电流的影响不可忽略了