HighSide的、LowSide的、fully的LDMOS有什么区别呢？

istart_2002 · 发表于 2023-3-6 15:32:31

HighSide的、LowSide的、fully的LDMOS有什么不同呢？

Huangshu · 发表于 2023-3-6 15:32:32

Highside 器件的隔离岛是与漏端短接的，Lowside器件是做在大衬底上的没有隔离，fully ISO全隔离器件是做在隔离岛内的，隔离岛可以浮动，可以不接漏端

2495319294 · 发表于 2023-8-21 11:27:29

隔离岛？是NBL再加上一圈打到它上面的DNW吗？（海力士工艺叫法）

Mars-chong · 发表于 2024-1-30 10:59:21

感谢分享

richarms · 发表于 2024-6-14 10:41:59

顺便请教下，那怎么选用呢？啥时候选fully iso管，啥时候选body iso管，啥时候non iso呢？

浓墨飞扬 · 发表于 2024-6-14 16:09:10

richarms 发表于 2024-6-14 10:41
顺便请教下，那怎么选用呢？啥时候选fully iso管，啥时候选body iso管，啥时候non iso呢？
...

N管源极接地就用低边的，N管源极接其他电位就用高边的或者fully iso 的，fully iso 的iso电位比较灵活，有些防反使用时避免寄生三极管打开，可以尝试用。

merenguelee · 发表于 2024-6-14 17:34:51

浓墨飞扬发表于 2024-6-14 16:09
N管源极接地就用低边的，N管源极接其他电位就用高边的或者fully iso 的，fully iso 的iso电位比较灵活， ...

学到了

richarms · 发表于 2024-6-18 09:41:29

浓墨飞扬发表于 2024-6-14 16:09
N管源极接地就用低边的，N管源极接其他电位就用高边的或者fully iso 的，fully iso 的iso电位比较灵活， ...

感谢您的解答。大概理解了，那为啥body iso的管子一定要将drain和NBL 的iso ring tie在一起呢？

浓墨飞扬 · 发表于 2025-2-18 15:11:43

richarms 发表于 2024-6-18 09:41
感谢您的解答。大概理解了，那为啥body iso的管子一定要将drain和NBL 的iso ring tie在一起呢？
...

nbl是N型半导体，接高电位使得pn结反偏，n管常规用法时drain电位高于source，所以接drain。用于防反接管子时，这个会有漏电问题，格外注意一下，DTI工艺会有帮助。

redgrouper · 发表于 2025-7-20 20:44:46

浓墨飞扬发表于 2025-2-18 15:11
nbl是N型半导体，接高电位使得pn结反偏，n管常规用法时drain电位高于source，所以接drain。用于防反接管 ...

啥意思，不太明白

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