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[求助] 在一种跟教材里不一样的Bandgap带隙结构中遇到的问题讨论

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发表于 2023-2-25 15:30:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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这是我在前辈们论文里看到的带隙结构,想问一下大家这个结构的带隙工作原理是什么样的,我的理解是T1和T2在R0上通过△Vbe产生了一个正温度系数的电流,电流流过其余的电阻产生了一个正温度系数的电压,然后跟T0这个负温度系数的电压Vbe抵消在V端产生Vref,但是我实际仿真的时候好像不太对,我跟我老师这么解释,我老师说不应该是这样的说我没理解电路结构,想请教一下大家我的思路正确吗?

微信截图_20230225152214.png
下面这个是文献中前辈的电路图,他BJT的极性是反的,并且他将原理图中原本短接的T0接到了R0电阻的后面,请问跟原本的工作原理有什么区别吗
微信截图_20230225152232.png

谢谢大家指导一下我
发表于 2023-2-25 15:44:03 | 显示全部楼层
你的理解基本是对的,应该没问提
但你的电路的t0画错了,应该是b 到c 而不是b到e
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发表于 2023-2-25 15:46:39 | 显示全部楼层
原文献是对的
对了,原来文献中说这个bandgap和一般的bandgap 是要取得什么改进?
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 楼主| 发表于 2023-2-25 18:12:58 | 显示全部楼层


   
adanshen 发表于 2023-2-25 15:44
你的理解基本是对的,应该没问提
但你的电路的t0画错了,应该是b 到c 而不是b到e ...


谢谢回复,就是说第一张图里的T0的b应该是连到上面的c对吧,那这样连和第二张图的接法有什么不同呢
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 楼主| 发表于 2023-2-25 18:14:53 | 显示全部楼层


   
adanshen 发表于 2023-2-25 15:46
原文献是对的
对了,原来文献中说这个bandgap和一般的bandgap 是要取得什么改进? ...


原文献是说的第一张图还是第二张图?文献里说这种连法是为了通过让BJT成为轨到轨放大器的输入端,然后通过回路负反馈给运放提供一个自偏置。
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发表于 2023-2-26 02:52:29 | 显示全部楼层
第二张图是pnp,  你的是npn, 都应该接成b to c, 不管是npn 还是pnp
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 楼主| 发表于 2023-2-26 10:33:58 | 显示全部楼层


   
adanshen 发表于 2023-2-26 02:52
第二张图是pnp,  你的是npn, 都应该接成b to c, 不管是npn 还是pnp


!我知道哪里错了,谢谢指点
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 楼主| 发表于 2023-2-26 21:38:25 | 显示全部楼层


   
adanshen 发表于 2023-2-26 02:52
第二张图是pnp,  你的是npn, 都应该接成b to c, 不管是npn 还是pnp


请问pnp型和npn型的BJT在应用上有什么区别和要求吗?这一块我一直不是很明白
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发表于 2023-2-28 23:22:49 来自手机 | 显示全部楼层
你好  方便发下论文吗  谢谢
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发表于 2023-3-1 10:28:06 | 显示全部楼层
這電路若用CMOS製程,應該是無法實現.
要用BICMOS製程
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