LDO的极点问题

IC2019 · 发表于 2023-2-23 10:39:11

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LDO的极点问题，如果LDO采用N管，是不是单极点系统，采用P管是双极点系统？

狒狒的柯基 · 发表于 2023-2-23 11:37:32

其实都是双极点系统，只是用NMOS功率管会使输出点的极点频率抬到相对高一点的位置而已。

IC2019 · 发表于 2023-2-23 14:17:30

狒狒的柯基发表于 2023-2-23 11:37
其实都是双极点系统，只是用NMOS功率管会使输出点的极点频率抬到相对高一点的位置而已。 ...

为何会高，这个不是和输出点电容和补偿电容是否有关吗

狒狒的柯基 · 发表于 2023-2-23 15:37:35

本帖最后由狒狒的柯基于 2023-2-23 15:43 编辑

IC2019 发表于 2023-2-23 14:17
为何会高，这个不是和输出点电容和补偿电容是否有关吗

我这里只比较功率管的影响，PMOS功率管是CS接法，从输出点看上去的阻抗是ro；NMOS功率管是CD接法，输出点看上去的阻抗是1/gm。阻抗小的话极点频率当然高一点。

当然你提到了负载电容的影响，对于无片外电容的LDO或者比较小的负载电容，一般主极点是在片内运放的输出级，这个时候输出级用NMOS管就提高的是次主极点的频率，更利于稳定。如果是片外大电容LDO且主极点一直固定在输出级的话，那么用NMOS管提高的是主极点的频率，对稳定性来说应该是负面效果吧。不过只要你片外电容足够大，主极点能够做的足够低那当然也可以稳定（这里说的都是补偿前，补偿后极点频率的式子可能并不会直接对应电路里的某个点）

IC2019 · 发表于 2023-2-23 16:15:05

狒狒的柯基发表于 2023-2-23 15:37
我这里只比较功率管的影响，PMOS功率管是CS接法，从输出点看上去的阻抗是ro；NMOS功率管是CD接法，输出点 ...

谢谢，

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