天线效应

P_Color

关于天线效应，用M1 M2 M1这样的方式可以防止，刻蚀工艺顺序，那么如果用M2 M1 M2这样可以吗？加上反偏二极管为什么就能释放电荷了，

gxc_cjgs

这个要看具体每个层的比例的，一般是下层的长线往上层的短线跳。

caca29

M1 M2 M1是将M2积累的电荷释放在两个M1上，类似，M2 M1 M2可以再想想

benjude

老生常谈的问题了，等大佬解释

gxc_cjgs

反偏二极管，比如阳极接衬底，阴极接金属线。当线上积累的电荷带负电时，二极管正向导通。当积累正电荷时，二极管会在击穿栅氧层前发生雪崩击穿。

xiaoqiansimc

天线效应多发生在多晶硅刻蚀当中，也存在金属刻蚀时金属表面积累大量的电荷，因此每淀积和刻蚀一层金属都需要进行泄放一次电荷。在做金属层时，是从底层往上做的，当你做M1的时候，还没有M2这一层，用M1_M2打孔这个位置相当于断开了，这叫向上跳层法。反之从M2到M1叫做向下跳层法，重新又把M2上的电荷引入到M1上了，类似于分流的作用，肯定是不如向上跳层好的。

level90

6楼正解。
补充下为什么是 反偏二极管。
首先，
在光刻至M1时，M1上会积累电荷。（当然它在刻蚀完成后会进行电荷泄放）
电荷泄放的最佳路径是直接从硅基接地跑掉。
这时候你可以看作M1的两端是接mos gate(poly) 和二极管的一端（AA）。
1）poly和沟道之间有栅氧的存在实际是开路状态（本来做anntena的防护就是为了保护这部分栅氧不在工艺流程中被击穿）
2）AA直接就算是硅基，于是电荷通过接AA的这一端泄放。
*** 晶圆形成过程中， 这个二极管实际是不起作用的

但实际芯片使用过程中。需要二极管维持反偏状态。不然你的mos gate就和电源或者地short了。（取决于用的是反偏p-diode还是反偏n-diode）