请教mosfet DC工作点igdt这个参数

luminedinburgh · 发表于 2023-2-20 09:23:45

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本帖最后由 luminedinburgh 于 2023-2-20 09:26 编辑

我在gpdk-40nm这个工艺下，DC仿真下，竟然发现mosfet有栅极DC电流？恰好是DC工作点显示的igdt这个值。提高仿真精度retol/gmin结果都一样。
看名字，像是个AC参数，单位时间delta t下的的ig电流？很奇怪为什么会影响DC结果

请问如何理解igdt这个值，在tsmc工艺下也有这个问题吗？谢谢！

luminedinburgh · 发表于 2023-2-21 18:06:50

igdt = Gate Direct Tunneling Current？

As the gate oxide thickness is scaled down to 3nm and below, gate leakage current due to carrier direct tunneling becomes important. This tunneling happens between the gate and silicon beneath the gate oxide.

[求助] 请教mosfet DC工作点igdt这个参数

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