[求助] esd

新手上路哈哈哈 · 发表于 2023-2-12 20:51:57

请问一下，这种esd电路可以通过，增大figer来减小面积吗，如果行还需要加什么东西吗，求大佬指教

fei_SH · 发表于 2023-2-13 14:30:40

增大Finger对应的就是增加面积啊，怎么还能减小面积？没理解楼主的问题。

榴莲学长 · 发表于 2023-2-13 15:49:11

esd可以参考工艺库的pdk哦一搬会对esd的总面积和单个finger的w有要求的。esd总体原则是不能太长（单个finger的长度），也不能太宽（所有finger并排起来以后的总宽度）。esd做保护的时候，是通过寄生二极管击穿，然后导通寄生的三极管，进而泄放电流。finger越多泄放电流能力越强，但是finger与finger之前的击穿也是有先后顺序的，finger太多，导致后面的finger还没来得及击穿，就导致芯片内部电路已经击穿了。建议去看看工艺库的pdk文件，里面有说明的。（集成小硕一枚，如有错误的地方，欢迎前辈们指正）

新手上路哈哈哈 · 发表于 2023-2-13 16:19:54

fei_SH 发表于 2023-2-13 14:30
增大Finger对应的就是增加面积啊，怎么还能减小面积？没理解楼主的问题。

增大figer后，源漏共用了，面积不就小了吗

新手上路哈哈哈 · 发表于 2023-2-13 17:05:32

榴莲学长发表于 2023-2-13 15:49
esd可以参考工艺库的pdk哦一搬会对esd的总面积和单个finger的w有要求的。esd总体原则是不能太长（单个fing ...

请问esd的设计规则应该在哪里呢，我没找到

伪界 · 发表于 2023-2-13 17:15:43

感谢分享

榴莲学长 · 发表于 2023-2-13 17:24:35

新手上路哈哈哈发表于 2023-2-13 17:05
请问esd的设计规则应该在哪里呢，我没找到

找doc文档挨个找每个工艺库命名不一样

fei_SH · 发表于 2023-2-13 17:24:59

本帖最后由 fei_SH 于 2023-2-15 08:34 编辑

新手上路哈哈哈发表于 2023-2-13 16:19
增大figer后，源漏共用了，面积不就小了吗

在一定的ESD rule下，CMOS的ESD能力和面积是正比例关系。不是增加finger或者增加单finger width就可以减小面积而提高ESD性能的。
除非shrink 了ESD rule或者更改了ESD device架构。
比如保证total width=300um的情况下，50um*6 finger和25um*12finger，面积其实差不多的。

fei_SH · 发表于 2023-2-13 17:26:56

新手上路哈哈哈发表于 2023-2-13 17:05
请问esd的设计规则应该在哪里呢，我没找到

ESD设计文书不同的fab提供的不一样，有的专门提供ESD guideline，有的是放在LDR里。

找不到直接找fab问比较清楚。

新手上路哈哈哈 · 发表于 2023-2-13 17:36:37

fei_SH 发表于 2023-2-13 17:24
在一定的ESD rule下，CMOS的ESD能力和面积是正比例关系。不是增加finger或者增加单finger width就可以减 ...

这两种情况esd的性能一样吗

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