自适应偏置（Adaptive Bias）在LDO高负载向低负载变化时的作用并没有论文中那么有效。

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求助！！ 各路大神和牛人，我想请教一个问题。LDO的电路图如图

                               
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下面是瞬态响应，按照论文上面的说明，当LDO从高负载到低负载跳变时，因为此时的EA的尾电流很大，所以会在功率管的栅极提供一个较大的充电电流。所以其上冲会很小。但是我仿真出来的结果显示，当负载下降时，EA的推挽输出级的pmos和nmos电流变化速率都差不多，所以其电流之差很小充电电流也很小。这个什么原因？？求解答。M3、M4分别为推挽输出的PMOS和NMOS。

                               
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这是论文的结果 FB是固定偏置，AB是自适应偏置，最上面是论文自己加了结构。

                               
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