高压MOS管设计的问题

phonenix012 · 发表于 2022-12-13 09:58:03

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本帖最后由 phonenix012 于 2022-12-13 10:10 编辑

各位大佬：
   最近在画高压MOS模块（PDK smic55），请教如下问题，不胜感谢
   1.高压MOS的沟道定义跟常规不同，请问其W/L是怎么定义的呢？    2.针对第一条，DRC里说GT overlap AA must produce two or more AAs, except HV GT, the INDMY, OTPMK1, OTPMK3 and INST covered regions，如何让DRC rule识别为HV GT呢？
   3.NDRF，PDRF，DUMBA，HVNW层都是干什么，它们之间有哪些通用的关系？
图片1.png

李幕白 · 发表于 2022-12-13 10:37:51

1.高压管子的特点是一端承受高压的端口的接触面积增大，减小接触电阻。它的W/L的定义电路设计一般是根据工厂提供的模型来的，在版图这边只需要考虑调用器件后根据剖面图或者XL飞线提示去正确连线，增大金属宽度。2.RULE的定义应该是有覆盖图2中的HV mark 识别层的就会认为是高压器件，可能还包括HVNW等层次，具体可以在Layout中增添相关层次RUN DRC进行测试。3.猜测PDRF.NDRF为离子注入层？DUMBA为dummy？ HVNW 高压N肼层？说得不对的话欢迎指正。

江湖人92 · 发表于 2022-12-13 10:39:04

1. W是S/D沿Poly 方向的宽度，这个与常规器件(LV/MV mos)相同；L是沟道宽度，不是Poly宽度，是poly下面导电沟道的宽度。

江湖人92 · 发表于 2022-12-13 10:40:25

2. HV 器件一般都会有HVID或HV mark等识别层。

fengrlove · 发表于 2022-12-13 10:55:48

你去看看温德通《集成电路制造工艺与工程应用》关于BCD那篇简介，你就明白额

phonenix012 · 发表于 2022-12-13 11:07:32

江湖人92 发表于 2022-12-13 10:39
1. W是S/D沿Poly 方向的宽度，这个与常规器件(LV/MV mos)相同；L是沟道宽度，不是Poly宽度，是poly下面导电 ...

从PDK来看，W应该DUMBA的宽度，而L是S/D DUMBA之间的Space，请问这里是怎么定义导电沟道的呢？

phonenix012 · 发表于 2022-12-13 13:11:28

fengrlove 发表于 2022-12-13 10:55
你去看看温德通《集成电路制造工艺与工程应用》关于BCD那篇简介，你就明白额 ...

好的，感谢

江湖人92 · 发表于 2022-12-14 14:17:21

phonenix012 发表于 2022-12-13 11:07
从PDK来看，W应该DUMBA的宽度，而L是S/D DUMBA之间的Space，请问这里是怎么定义导电沟道的呢？
...

W 应该是DUMBA下AA的宽度吧，L 应该是S/D的PDRF之间的宽度吧。

owl_feng · 发表于 2022-12-15 13:05:27

W 应该是DUMBA下AA的宽度吧，L 应该是S/D的PDRF之间的宽度吧。

ncash0933 · 发表于 2022-12-15 13:41:57

学习了

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