求教ggnmos接地的电阻的阻值怎么算，多谢了

jessiann

如图所示，Rgn和Rgp的电阻阻值怎么算？万分感激。

u12u34

   

tang66521 发表于 2022-12-13 18:07
这种结构是GCMOS，和MOS管的Cgd形成高通通路，让MOS管的gate能够快速响应ESD的电压，降低ESD触发阈值。理解 ...

这种器件是GCNMOS没错，但是这种GCNMOS只能降低器件的Trigger Voltage，其TLP曲线还是会表现出snap-back特性，说明其导电机制还是和GGNMOS一样会涉及到寄生器件内部导电机制的变换。而用RC作为触发电路的GCNMOS，其TLP能才能避免snap-back特性，说明这种GCNMOS才会通过沟道实现ESD泄放。针对HBM的防护ESD的时间常数一般是1μs，只有针对CDM才会把时间常数认为是1ns。这里说的常见的200欧电阻，也不是这个电阻，200欧的电阻常见于一二级保护之间。这种接法的GCNMOS的电阻量级都是几十K到一M。

ztstg2018

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悬赏帖，没人解答吗？

tang66521

这种结构是GCMOS，和MOS管的Cgd形成高通通路，让MOS管的gate能够快速响应ESD的电压，降低ESD触发阈值。理解了原理，那么就比较容易计算了，假设ESD信号为T=1nS，Cgd=1pF，那么根据R=T/(2*3.14*C)可以计算出，R≈159Ω。通常这个电阻也是在100Ω~200欧姆。

jessiann

   

tang66521 发表于 2022-12-13 18:07
这种结构是GCMOS，和MOS管的Cgd形成高通通路，让MOS管的gate能够快速响应ESD的电压，降低ESD触发阈值。理解 ...

求ESD上电时间，还有电容充电到多少伏？谢谢

loopgain

增加Cgd电容有帮助吗？ 高压LDMOS可以用GCNMOS的结构做ESD吗？

u12u34

   

loopgain 发表于 2022-12-19 16:50
增加Cgd电容有帮助吗？ 高压LDMOS可以用GCNMOS的结构做ESD吗？

EETOP上有专门的ESD讨论区，里面的资料更加详细。高压LDMOS不推荐GCNMOS的用法。因为LDMOS里面有漂移区，就算沟道开启，漂移区阻抗还是太大，不适合泄放ESD电流。你可以去我博客看看，我博客全是原创ESD资料，其中讲过高压LDMOS。