14nm FinFET 工艺下能否拿掉gate dummy,进行源漏合并

kyrayan · 发表于 2022-11-15 18:03:13

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求大神经验分享：
14nm工艺下版图的寄生效应太大，定位到是gate dummy两边产生的寄生器件及对应的寄生效应影响导致，请问gate dummy是否有特殊的接法？或者能否拿掉中间可以源漏合并器件的gate dummy，最后在两边进行dummy补充，这样会有什么负面影响吗？

ljh065216 · 发表于 2022-11-16 11:28:37

可以

MrHlayout · 发表于 2022-11-16 11:39:49

中间的是可以关掉的

benjude · 发表于 2022-11-16 13:47:58

合并之后两边有就行

이지은 · 发表于 2022-11-16 17:13:29

可以，但最两边的保留

929272371 · 发表于 2023-6-11 16:30:24

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