tsmc40nm源/漏与衬底的耐压问题

这是啥 · 发表于 2022-11-4 14:45:26

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设计栅压自举开关时要考虑过压VDSB，VGB的耐压问题，找了工艺文档没找到，论坛里有没有了解的大侠指导一下小弟

ipmsn5 · 发表于 2022-11-4 21:03:35

本帖最后由 ipmsn5 于 2022-11-4 21:07 编辑

器件的可靠性问题，PDK的文档有的。vgs：不要超过overdrive voltage：一般是1.05V
vds， vgd同上

vdb：这个不重要，因为这个和栅极没有关系，只有一个pn diode 一般可以到1.8V

Vgb：这个介于vgs和vdb之间，原因是因为两个电压之间存在oxide和channel，所以耐压要比 vgs好，但是比 vdb差。你要问问foundry，

另外，如果你有DNW，那么可以把 well电压提高一点，问题不大

上官轩晖 · 发表于 2022-11-4 22:48:22

ipmsn5 发表于 2022-11-4 21:03
器件的可靠性问题，PDK的文档有的。vgs：不要超过overdrive voltage：一般是1.05V
vds， vgd同上

是在design rule文档reliability里吗？

这是啥 · 发表于 2022-11-6 00:13:09

ipmsn5 发表于 2022-11-4 21:03
器件的可靠性问题，PDK的文档有的。vgs：不要超过overdrive voltage：一般是1.05V
vds， vgd同上

感谢回复。我现在用的是3.3V的管子，等上班时再去找找。

这是啥 · 发表于 2022-11-7 15:07:22

ipmsn5 发表于 2022-11-4 21:03
器件的可靠性问题，PDK的文档有的。vgs：不要超过overdrive voltage：一般是1.05V
vds， vgd同上

文档没找到，联系代工厂说没有这个数据

[求助] tsmc40nm源/漏与衬底的耐压问题

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