关于MOS管匹配性问题！

LuvianLiu · 发表于 2022-10-31 13:08:21

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为什么NMOS管的匹配性要比PMOS管的匹配性高？哪位大牛可以指导下？

李幕白 · 发表于 2022-11-1 09:37:36

这是个好问题啊，坐等大神

wjcuifunny · 发表于 2022-11-1 10:01:42

顶顶

GMG_1005 · 发表于 2023-1-4 11:06:06

以我现在的知识：因为NMOS成本较低，而且依靠电子导电，效果要比PMOS好，所以现在大部分都是牺牲PMOS来优化NMOS的。

恆權- · 发表于 2023-1-11 16:20:44

顶一个

young_82 · 发表于 2023-1-12 09:14:48

顶顶顶

冷漠救赎 · 发表于 2023-2-6 15:19:57

是不是因为pmos的载流子是空穴，导电能力比电子弱，相同的电流其面积要大很多，从而导致他的匹配性不如nmos.

肆意 · 发表于 2023-2-8 17:15:40

顶，求有讲解的大佬

蒋赵威 · 发表于 2023-12-6 21:45:19

1.与NMOS管驱动能力相同的一个PMOS管，其器件面积可能是NMOS管的2～3倍，然而器件面积会影响导通电阻、输入输出电容，而这些相关的参数容易导致电路的延迟。
同样，在相同的尺寸条件下，PMOS管沟道导通电阻比NMOS要大一些，这样开关导通损耗相应也会比NMOS管要大一些。
2.一般而言，电子迁移速率是空穴迁移速率的五到十倍，根据材料和结构以及其本身特性的不同，这个倍数甚至会更高。
因为电子比空穴的迁移率要高，所以同体积大小与同掺杂的情况下，NMOS管的损耗要比PMOS管小很多。
3.当NMOS的Vgs电压高频率变化时，形成的导电沟道的厚薄也会跟着发生变化。
这个导电沟道的变化是通过电子的移动来形成的，电子移动速度越快（换言之电子迁移率越高），那么导电沟道就能更快地响应Vgs的变化，其中的缘由涉及到NMOS管的工作原理。
这就说明，电子迁移率越高，器件的工作频率越高。
同样的，PMOS管也一样。

LuvianLiu · 发表于 2023-12-8 15:06:39

蒋赵威发表于 2023-12-6 21:45
1.与NMOS管驱动能力相同的一个PMOS管，其器件面积可能是NMOS管的2～3倍，然而器件面积会影响导通电阻、输入 ...

感谢大佬！！！

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