关于MOS做电容

小磊IC

有没有大神可以系统的讲解一下MOS做电容的相关内容，或者说有没有好的资料可以推荐。另外也想知道1.PMOS做电容和NMOS做电容的区别  2.电容大小与W L 的关系   3.应该怎么在candence中仿真。

hadeheng

借用4楼回答下
1.PMOS做电容和NMOS做电容的区别
电容是两端器件，MOS做电容，漏端、源端和衬底端接一起作为电容的一端，栅端作为电容的另一端。一般来说， PMOS 做电容，栅端接低电位（相对源端）； NMOS做电容，栅端接高电位（相对源端）。
2.电容大小与 W/L 的关系
电容大小参考附件说明，一般来说跟电容两端电压和W，L值关系较大。
3.应该怎么在candence中仿真
可以采用LC简易电路，通过 ac 仿真确定频率，反推C的大小。

endwalker

1. 感觉PMOS/NMOS主要看你哪个VGS(VSG)比较容易获得；2.和面积W*L正相关；3.跑dc，calculator->op->Cgg

duclover

有一本书叫《版图的艺术》 里面有介绍

Ivy_End

1.PMOS做电容和NMOS做电容的区别

考虑这个问题主要是看你电容两端的电压，根据 MOSFET 的 C-V 特性来选取 PMOS 还是 NMOS。

2.电容大小与 W/L 的关系

用 MOS 做电容基本是 Cox，所以与 W * L 成正比。

3.应该怎么在candence中仿真

可以采用 ac 仿真，利用容抗的公式；也可以采用 dc 仿真，利用器件的 dc op。

ztstg2018

PMOS做电容 S/D/B短接接VDD，NMOS做电容S/D/B短接接GND，一般.35/.18工艺栅电容单位容值在在2.5fF左右

c340126c3401261

GOOOOD