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[求助] tsmc的IO工艺文档

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发表于 2022-10-19 10:47:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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12nm开始tsmc在文档中引入了combo的概念,其中提到将原来4个PVDD1CDG并联的结构,集成到一起并命名为PVDD1CDGM,而且说面积没有优化,现在我想在我的lef中验证这个问题,有了解的大神帮忙解答一下吗?或者说PVDD1CDG这个结构正常情况下是不是随着工艺进步,尺寸也在改变,因为如果每年它的尺寸也在改变那么比较就没有任何意义了,求大神解答?
 楼主| 发表于 2022-10-19 11:20:17 | 显示全部楼层
自己顶一下,求大神解答
发表于 2022-10-19 14:25:18 | 显示全部楼层
本帖最后由 leewee 于 2022-10-19 14:26 编辑

PVDD1CDGM 是指一个 cell 出两个 PAD: VDD, VSS。同时一个cell就满足ESD 尺寸的要求。这才是 combo 的概念。
PVDD1CDG 之前是只出一个PAD: VDD。用它的时候还要加另一个 cell:PVSS1CDG 的PAD VSS。

对于一个特定的制程来说,只要ESD spec 定好了,Si 结果没问题,IO team 一般不会改变它的尺寸
 楼主| 发表于 2022-11-7 17:43:58 | 显示全部楼层


leewee 发表于 2022-10-19 14:25
PVDD1CDGM 是指一个 cell 出两个 PAD: VDD, VSS。同时一个cell就满足ESD 尺寸的要求。这才是 combo 的概 ...


了解啦了解啦,感谢感谢
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