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[讨论] 速度饱和问题

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发表于 2022-9-23 22:43:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在短沟器件中,容易发生速度饱和。速度饱和的概念是由于Leff过小,导致VDS不需要达到Vgs-Vth,就能在沟道产生很大的横向电场,导致载流子速度达到了临界值,从而电流提前饱和了。
我有以下的疑问:

1.假设采用了以下的模型,简单地把电阻区和速度饱和区表达式相等,得到交界处的值VDsat,可以很容易推出VDsat<Ec×L,也就是VDsat对应的电场强度要小于临界场强,那这个VDsat作为一个拟合参数,有什么实际意义吗?

2.速度饱和和夹断是两个不同的概念,假设晶体管发生了速度饱和,但是沟道还没有夹断,我此刻再增加VDS,这时候的电流表达式是I=Q×Vsat=Vsat*Cox*W*[(Vgs-Vth)Vds-0.5vds^2]吗?

3. 根据1的疑问,图中3.34这个式子:IDsat=Vsat*Cox*W(Vgs-Vth-VDsat),这里的电荷量、VDsat取值是否合理?

个人想法:对于一个不准确的模型,仅仅用一阶近似,大部分只能给出一个趋势预测,比如这里的电阻区和速度饱和区,交界处必然不是简单的相等关系,需要有更复杂的模型才能解释,最近在这上面花了很长时间的思考,但是并不觉得很有深入研究的必要。。。
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发表于 2022-9-24 13:07:46 | 显示全部楼层
发表于 2022-10-11 22:28:56 | 显示全部楼层
可以看下 半导体器件 课程(复旦的蒋玉龙)
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