为什么射频电路的MOS管栅极不能接VDD呢，需要用一个TIE_H转换一下

沈小耶 · 发表于 2022-9-21 15:38:41

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我想请问一下为什么射频电路的MOS管栅极不能接VDD呢，需要用一个TIE_H转换一下

子车天纵 · 发表于 2022-9-21 16:17:12

不止射频吧，应该是出于ESD考虑

gtfei · 发表于 2022-9-21 16:36:28

利用沟道电阻阻挡瞬时电势，削弱gate上电场强度，保护GATE极不被ESD脉冲击穿，TIE_LOW同理

micebit42 · 发表于 2022-9-21 16:48:00

逆向设计认器件真是个捡豆子的活，一百粒豆子里就会有那4、5颗你不认识的

沈小耶 · 发表于 2022-9-22 15:51:44

子车天纵发表于 2022-9-21 16:17
不止射频吧，应该是出于ESD考虑

好的谢谢

沈小耶 · 发表于 2022-9-22 15:52:52

gtfei 发表于 2022-9-21 16:36
利用沟道电阻阻挡瞬时电势，削弱gate上电场强度，保护GATE极不被ESD脉冲击穿，TIE_LOW同理 ...

好的，了解了，谢谢

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