PMOS cap, pls

lhlbluesky · 发表于 2022-9-16 16:45:20

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这里，讨论一下PMOS管做电容时，电容值的问题，对于一个3.3V的PMOS管，source/drain/bulk接在一起（电位1.2V左右，bulk=nwell），gate接3.3V，此电容作为隔直电容，将3.3V的信号转为1.2V的信号。按照理论来讲，gate电压大于source/drain/bulk的电压，工作在cutoff区域，或者，多子堆积区域，此时，栅极下面的沟道里是多子电子，能够跟得上gate电压的变化，所以，电容值应该是栅氧电容。
但在ac仿真的lis文件，读到的电容信息（W=L=4u，m=30）：Cgs=38.5fF,Cgd=48fF,Cgtot=735fF，可是，按照Cox*W*L计算得到的电容值=2.08pF, 这与735f存在很大的差距，请问，这里的差异是怎么造成的？哪个数值更可靠呢？

欢迎指正，谢谢。

nanke · 发表于 2022-9-16 17:57:04

本帖最后由 nanke 于 2022-9-16 18:01 编辑

应该是一样的啊，是不是dc点给错了

[讨论] PMOS cap, pls

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