如何减小开关电阻Ron对温度的响应

jcxwzy · 发表于 2022-8-30 21:43:14

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咨询一下，在高低温环境下，MOS开关的电阻Ron受温度影响变化较大，是否有什么办法可以减小该电阻随温度的变化？

yjj_123 · 发表于 2022-8-31 08:46:00

宽长比做大，导通电阻变小，则导通电阻受温度影响的变化量也变小

andy2000a · 发表于 2022-8-31 08:49:36

你要做current sensing ? 用MOS RON ? 为何不用POLY电阻或 metal 电阻

jcxwzy · 发表于 2022-9-1 09:04:01

andy2000a 发表于 2022-8-31 08:49
你要做current sensing ? 用MOS RON ? 为何不用POLY电阻或 metal 电阻

你好，是做开关用途的；

jcxwzy · 发表于 2022-9-1 09:04:56

yjj_123 发表于 2022-8-31 08:46
宽长比做大，导通电阻变小，则导通电阻受温度影响的变化量也变小

在SDM中对开关的Ron有要求，不能太小，否则影响性能；

gtfei · 发表于 2022-9-1 09:16:20

jcxwzy 发表于 2022-9-1 09:04
在SDM中对开关的Ron有要求，不能太小，否则影响性能；

SDM中RON小应该不会影响性能吧？ RON越小对于建立时间来说应该是更优的，同时RON小THD也会有所优化，唯一需要担心的是宽长比大了沟道注入和时钟馈通比较麻烦。

jcxwzy · 发表于 2022-9-1 10:25:54

gtfei 发表于 2022-9-1 09:16
SDM中RON小应该不会影响性能吧？ RON越小对于建立时间来说应该是更优的，同时RON小THD也会有所优化，唯 ...

这个原理我也说不太上来，不过从仿真理想模型来看，Ron并不是越小越好；

搭建的二阶SDM理想模型的开关用理想开关代替，扫描导通电阻，差异还是比较明显；

单纯MOS开关的时钟馈通用全差分结构可以消除；

但电荷注入这个就有点玄，不知道从哪里入手去进行消除，好像加dummy switch会好一些；

gtfei · 发表于 2022-9-1 12:54:09

jcxwzy 发表于 2022-9-1 10:25
这个原理我也说不太上来，不过从仿真理想模型来看，Ron并不是越小越好；

搭建的二阶SDM理想模型的开关用 ...

你如果是用的理想开关的话，按理来说都满足RC时间常数的话，计算出来的指标不会有太大差别。
有试过用matlab去算PSD吗？论坛里面有人说cadence自带的算出来不大准
MOS非理想相关的可以参考一下以下附件：

jcxwzy · 发表于 2022-9-1 13:26:20

gtfei 发表于 2022-9-1 12:54
你如果是用的理想开关的话，按理来说都满足RC时间常数的话，计算出来的指标不会有太大差别。
有试过用mat ...

matlab脚本和cadence自带的算出来差异在0.1dB以内，之前有做过验证，可以节省不少时间；

jcxwzy · 发表于 2022-9-1 13:39:45

gtfei 发表于 2022-9-1 12:54
你如果是用的理想开关的话，按理来说都满足RC时间常数的话，计算出来的指标不会有太大差别。
有试过用mat ...

你好，这个文档讲得很详细，还有其他的章节不？

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