PMOS能做在Deep Nwell(DNW)中吗？

闯关羊大侠 · 发表于 2022-8-29 17:25:59

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PMOS能做在Deep Nwell(DNW)中吗？如果两个不同点位的PMOS是否能做在一个Deep Nwell(DNW)中? 谢谢大家指点！

博命zZ · 发表于 2022-8-29 17:28:50

PMOS可以做在DNW里，但是一个DNW中只能有一个NW电位，因为都是N-掺杂，两个电位会short。

闯关羊大侠 · 发表于 2022-8-29 18:33:39

博命zZ 发表于 2022-8-29 17:28
PMOS可以做在DNW里，但是一个DNW中只能有一个NW电位，因为都是N-掺杂，两个电位会short。 ...

好的，谢谢，那这个dnw跟nw有啥区别呢？都是n阱，又是同一电位

博命zZ · 发表于 2022-8-30 08:45:50

NW可以看作是杯子壁，DNW是杯底，NW和DNW将“杯子内”的PW和“杯子外”的PW完全分隔开。

DemoYe · 发表于 2022-8-30 09:28:01

楼上说的对（信元难挣）
可以看看design rule的剖面图

ncash0933 · 发表于 2022-8-30 10:46:13

谢谢分享

note30933 · 发表于 2022-8-30 10:54:23

dnw跟nw有啥区别呢？都是n阱，又是同一电位 => 深度，掺杂浓度不同

ss221146 · 发表于 2022-9-5 16:08:12

杯壁和杯底很形象了

Arno93 · 发表于 2022-9-6 09:28:21

剖面图可以看的很清楚

胖瓜子 · 发表于 2022-9-6 16:15:27

note30933 发表于 2022-8-30 10:54
dnw跟nw有啥区别呢？都是n阱，又是同一电位 => 深度，掺杂浓度不同

应该是DNM隔离作用更强

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