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[求助] 两个2KV的ESD器件并联，但放在不同位置，能等效成4KV的ESD使用吗？

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fumes
发表于 2022-8-19 18:32:47 | 显示全部楼层 |阅读模式

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两个2KV的ESD器件并联，但放在不同位置，能等效成4KV的ESD使用吗？
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hitzhabc
发表于 2022-8-19 19:20:08 | 显示全部楼层
不会。本来ESD器件就有开启先后顺序问题。所以，如果想加强ESD，可以并联，但是要放在一起。另外，就是并联不等于ESD电压加倍。
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fumes
 楼主| 发表于 2022-8-22 09:53:36 | 显示全部楼层


hitzhabc 发表于 2022-8-19 19:20
不会。本来ESD器件就有开启先后顺序问题。所以，如果想加强ESD，可以并联，但是要放在一起。另外，就是并联 ...


明白了，谢谢！
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fzu_physics
发表于 2022-8-30 21:38:32 | 显示全部楼层
串联把电压加上去，并联加大通流能力
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Anihacyo
发表于 2023-4-21 08:12:27 来自手机 | 显示全部楼层


hitzhabc 发表于 2022-8-19 19:20
不会。本来ESD器件就有开启先后顺序问题。所以，如果想加强ESD，可以并联，但是要放在一起。另外，就是并联 ...


想请教您，这样的话后面的那个器件是不是就类似于second ESD？单纯的靠并联是不可能达到double的效果的吧，毕竟不是一起打开
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Anihacyo
发表于 2023-4-21 08:13:37 来自手机 | 显示全部楼层


hitzhabc 发表于 2022-8-19 19:20
不会。本来ESD器件就有开启先后顺序问题。所以，如果想加强ESD，可以并联，但是要放在一起。另外，就是并联 ...


想请教您，这样的话后面的那个器件是不是就类似于second ESD？单纯的靠并联是不可能达到double的效果的吧，毕竟不是一起打开，后面的器件只是分了一部分SD电流吧？
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fei_SH
发表于 2023-4-21 10:18:46 | 显示全部楼层
这不能简单的翻倍。要看具体的版图摆放位置和ESD器件的特性。比如 non-snapback型的ESD器件，摆放合理是可以能力翻倍的，如果是强snapback器件，就算你摆一起也一定均匀开启。
所以很少看到高压LDMOS通过并联实现高的ESD能力的。
一句话，并联实现ESD能力翻倍不是不可以，有前提条件。
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hitzhabc
发表于 2023-4-21 11:04:09 | 显示全部楼层


Anihacyo 发表于 2023-4-21 08:13
想请教您，这样的话后面的那个器件是不是就类似于second ESD？单纯的靠并联是不可能达到double的效果的吧 ...


其实 second ESD要有限流的电阻，器件尺寸也没有那么大。有的工艺要求电源和地的bus上，每1欧姆的传输线，都要加一个clamp。因此隔一段加一个ESD器件也是有意义的。但是一般不会体现出更好的ESD等级。
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fei_SH
发表于 2023-4-21 11:14:26 | 显示全部楼层


Anihacyo 发表于 2023-4-21 08:13
想请教您，这样的话后面的那个器件是不是就类似于second ESD？单纯的靠并联是不可能达到double的效果的吧 ...


直接并联的不能算是second，原理和设计逻辑完全不一样。
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Anihacyo
发表于 2023-4-21 16:06:22 | 显示全部楼层


fei_SH 发表于 2023-4-21 11:14
直接并联的不能算是second，原理和设计逻辑完全不一样。


直接并联是不是就直接分流了？，我做二级器件一般是在中间加个电阻
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