FS03MR12A6MA1LB 400A 1200V IGBT模块/FS03MR12A6MA1LBBPSA1

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FS03MR12A6MA1LBBPSA1 是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优化的开发周期时间和成本。明佳达电子和星际金华（供应、回收）FS03MR12A6MA1LB 400A 1200V IGBT模块/FS03MR12A6MA1LBBPSA1，如您有多余的库存需要处理，欢迎联系陈先生qq 1668527835。
参数：FS03MR12A6MA1LBBPSA1、FS03MR12A6MA1LB
FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.7 毫欧 @ 400A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 240mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1320nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：42.5nF @ 600V
功率 - 最大值：20mW
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：AG-HYBRIDD-2


特征
大电流密度
出色的开关和导通损耗
低电感设计
低器件电容
具有反向恢复电荷的本征二极管
集成NTC温度传感器
PressFIT触点技术
效率高，可降低冷却要求
无阈值导通状态特性
与温度无关的开关损耗
高频工作
较高的功率密度
优化的开发周期时间和成本
符合RoHS指令

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