BSIM3v3 寄生电阻

一起闹他雷哥 · 发表于 2022-8-8 20:30:35

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在阅读BSIM3v3的参考资料时，发现在考虑栅压/衬偏电压对沟道宽度的影响时是认为正的栅压（或者负的衬偏电压）会导致沟道有效宽度增加。同样的推理用于寄生电阻Rds，应当是正的栅压（或者负的衬偏电压）导致寄生电阻的减小才对。但参考资料中给出的，比如Vgs，它对Weff和Rds的系数都为正。这是否也太矛盾了。关于Rds的参考论文是这篇Modeling of a MOSFET’s parasitic resistance’s narrow width and body bias effects for an IC simulator，看下来感觉也是矛盾的。有大佬能给解释一下吗

一起闹他雷哥 · 发表于 2022-8-9 09:31:18

顶顶顶

一起闹他雷哥 · 发表于 2022-8-9 09:34:31

就是它似乎在说，偏压在减小宽度的同时在减小寄生电阻，这太矛盾了

一起闹他雷哥 · 发表于 2022-8-9 19:41:48

求有了解过的xd

一起闹他雷哥 · 发表于 2022-8-9 20:27:14

一起闹他雷哥 · 发表于 2022-8-10 11:44:29

再顶一下

[求助] BSIM3v3 寄生电阻

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