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查看: 3564|回复: 11

[求助] SMIC工艺55nm管子耐压问题

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发表于 2022-7-12 21:19:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟最近在用SMIC 55nm的工艺进行DC-DC设计,PDK手册里写的1.2V的管子最高耐压为1.2VDD也就是1.44V,但是现在面临的问题是功率管的VGS会在200ns的时间内达到1.6V,每1ms会出现这样的一次耐压过高问题,目前没有太好的解决办法,请问这样会导致管子击穿吗?
发表于 2022-7-12 22:50:53 | 显示全部楼层
不会
发表于 2022-7-13 11:35:44 | 显示全部楼层
从可靠性考虑,最好换成18或25管
发表于 2022-7-13 11:39:27 | 显示全部楼层
我觉得要换高压管 ,不然真的到流片,过压是对可靠性有影响吧
发表于 2022-7-13 11:52:21 | 显示全部楼层
一般1.2V管子标称是1.44V耐压。但是FAB都是有余量的。你这个时间这么短,还好吧。你Vgs 1.6V超压的时候工作在什么区?饱和区就比较危险一点,我记得55是有可靠性仿真的文件的,可以直接仿可靠性看下退化。
发表于 2022-7-13 12:20:41 | 显示全部楼层
本帖最后由 andy2000a 于 2022-7-13 12:22 编辑

问代工厂FAB最准.
短期没问题 , 长期难说 ,  1.2v下你说spike 电压 1.6v  1m pulse 下 200ns ,   可靠度会有问题 ..
  再来 HTOL 都会加高电压,.  如果 vdd=1.32v  下,  spike 电压 应该会更高吧,  

你电压>1.44v   可能 长期下 mos gate 会出问题 , vds 还好,
或许你可加diode clamp 压低电压看看.



 楼主| 发表于 2022-7-13 17:08:27 | 显示全部楼层


knowworlds 发表于 2022-7-13 11:52
一般1.2V管子标称是1.44V耐压。但是FAB都是有余量的。你这个时间这么短,还好吧。你Vgs 1.6V超压的时候工作 ...


感谢你的回复,请问可靠性文件是什么后缀的?在cadence里要怎么仿呢?
发表于 2022-7-13 17:19:33 | 显示全部楼层


iseeICer 发表于 2022-7-13 17:08
感谢你的回复,请问可靠性文件是什么后缀的?在cadence里要怎么仿呢?


公司里面可靠性一般是有一套专用流程工具的。我记得55 LV管 S家是有提供的,至少我当时是有,那个要拿到专门的model,然后仿真跑退化。如果你是学生就算了吧。如果要量产,可能还是慎重一些。
 楼主| 发表于 2022-7-13 20:51:54 | 显示全部楼层


knowworlds 发表于 2022-7-13 11:52
一般1.2V管子标称是1.44V耐压。但是FAB都是有余量的。你这个时间这么短,还好吧。你Vgs 1.6V超压的时候工作 ...


谢谢你的回复,vgs1.6V时工作在截止区,栅极电压是0
发表于 2022-7-21 11:17:27 | 显示全部楼层
楼主你好,我也是用的这个库,用1.2V的管子,VDD采用0.5V,在仿LNA时,瞬态仿真看到管子的漏端为1.3V,他这样会不会导致管子烧了?
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