想请教SRAM 的CELL 有POLYCROSS METALCROSS 他们是否有各自的特点？画的时候如何选择呢？

MAGA2020

想请教SRAM 的CELL 有POLYCROSS  METALCROSS    他们是否有各自的特点？画的时候如何选择呢？

andyfan

老的工艺还有点讲究，PG和INV的POLY是两个方向的，哪个时候，主要靠版图优化来优化CELL，但其实大的结构基本也是一致。0.13以后，基本都是thin cell，日本哪个公司忘了，和IBM几乎同时提出的结构画法，后面版图结构基本定死了，完全看工艺能力了，另外不是FAB的话，基本不会也没能力自己画CELL的，即便是SYNOPSYS和ARM做MEM COMPILER的这种IP VENDOR也都是依赖FAB提供CELL的版图。

稍微有点有影响力的革新，05年的时候IBM提出了8T2P的结构，并在28nm的时候，成为各个FAB标准提供的CELL；同时也是在28nm的时候，T把DP的画法优化了下，但改的主要是摆放位置，并不是GATE的方向；15的ISSCC，T提出了twin pwell的画法，但是并没有看到实际中采用。