EOS/ESD问题请教

sunshuanghao

大牛们：

芯片有3组电源地，EOS损坏发现坏点在未Bonding的VDD PAD（VDD\VSS GGNMOS保护管处），

如果说是VDD\VSS GGNMOS保护管抗ESD能力不足，为什么Bonding出的VDD PAD OK，坏点在未Bonding出的PAD呢？

期待大牛们的解惑，非常感谢！

sunshuanghao

顶下~~~~~

copper_hou

以上现象描述可以说明ESD或EOS stress则是通过未bonding的pad进入到芯片内部电路，会到产线全面勘测相关process的ESD或EOS风险即可找root cause。