传输门开关中间电平时导通电阻太大怎么办

zxx6821603 · 发表于 2022-6-30 20:50:52

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各位大神，想求教一下，使用tsmc0.18工艺，搭建了一个传输门，要求他在电源电压1.8v-3.6v情况下，输入范围0-vdd下都能用，但是现在仿真出传输门电阻随着输入电压的改变发现，在中间电平处的电阻会大很多，特别是在1.8v下，导通电阻会比最小的大200多倍www

adhylin · 发表于 2022-7-1 08:50:11

正常现象，这是从线性区到饱和区再到线性区的转变，降低导通电阻只有增大面积

sea11038 · 发表于 2022-7-1 09:18:53

低电源电压时，两个MOS管的阈值电压之和可能接近或大于电源电压，此时若输入电压接近电源一半时，两个MOS管处在近似亚阈值导通状态，造成导通电阻很大，单纯靠增大管子宽长比的办法改进非常有限。可行的解决办法供参考：如果有iso器件(deep nwell)，可尝试将两个管子body接source端以消除衬偏效应，即减小MOS管body接VDD或GND导致的管子阈值电压升高的影响，不过前提是传输门两边高低电平是确认的，这样管子的source或drain是确定的，才能将body接source，否则需采样类似两个背靠背二极管的MOS管接法；如果没有iso器件，可考虑提高NMOS栅极驱动电压，如采用bootstrap升压，暂时想到这么多吧。