TSMC18工艺 mos管layout问题

Rock_Lin · 发表于 2022-6-22 11:47:06

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求救各位大佬有没遇到过这个问题，TSMC18的工艺 MOS管在layout的时候，S和D会自动吸附，如下图

问题1：这样连接下，还需要从红色层引出金属线吗？（不连LVS会报错）
问题2：怎么在用layoutXL的情况下，解除这个吸附

bigtd_csd · 发表于 2022-6-22 12:14:47

shift+e，关闭abut server

Lolia1217 · 发表于 2022-6-22 18:07:33

你这里是串联结构得，自定合并了，LVS不会报错。2楼得设置可以取消合并消contact

winsm · 发表于 2022-6-23 08:08:47

以前有人发的：
IC617 关于用 layout XL 毗连吸附使用的说明，经过其他个工程师指导附件文档文件已经更新，问题得到解决。
layout XL界面菜单选项 Options→Editor 快捷键（shift+E）
出现对话框 Abut Server （毗连吸附）选项，勾选功能有效，不勾选无效。
1.勾选后使用结果：当两个同类型的管子有源区有共同节点时，有公共节点的有源区靠近是自动吸附。
分成两种情况。
（1）此节点上除了有连两个管子以外还有其他的器件，即必须有金属布线。
吸附后两排孔自动合并为一排孔。
（2）此节点上只有两个管子无有其他的器件，即不需要金属布线。
中间孔消失，金属布线也消失
2.注意事项：
如果开始选择 Abut Server已经拼接，取消Abut Server分离结果孔会消失；如果想恢复孔，继续勾选上Abut Server，然后选中其中一个管子移
动一下就可以恢复了。
3.当然如果想保留 1-（2）这种情况中间的孔。
方法1：可以不勾选Abut Server使用手动拼接。
方法2：Abut Server 不用关的layoutXL界面菜单选项 Options→layout XL
在layout XL Options弹出的属性窗口将的generation 中的preserve terminal contacts 勾选上，合并时孔会保留。