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查看: 4358|回复: 13

[讨论] 关于NWELL接地的疑问

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发表于 2022-6-18 17:10:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在做反向,看到有以下这样的一种情况,P管的三端都接地了,在某个运放的输出作电容应该是滤波的作用,请问这种情况下NWELL接地是否对整个芯片的NWELL有影响? 1655543121330.png

发表于 2022-6-18 23:44:46 | 显示全部楼层
一般来说P管做在Nwell里面,而衬底是P型的,那么只要其它管子不与它共用一个Nwell,那应该不要紧,各个Nwell间是隔离的。
发表于 2022-6-19 07:41:11 | 显示全部楼层
虽然因为NWELL的隔离性,这么做也行,但从防闩锁的角度上讲,实在不太安全。如果只是滤波电容的话,不妨改为全部接VDD,反正也是交流地
发表于 2022-6-20 08:41:42 | 显示全部楼层
应该是个NMOS CAP吧,整个管子区域覆盖了一层Nwell,让你误以为是个PMOS管
发表于 2022-6-20 09:07:26 | 显示全部楼层
4#说的对,在反向向的过程中确实很容易将NMOScap,提取成PMOS的,我也遇到过
发表于 2022-6-20 10:12:38 | 显示全部楼层
负压模块的P管子,有这样的接法,整个负压模块的P管Nwell都是接地的,还是不太理解为什么
 楼主| 发表于 2022-6-20 11:24:28 | 显示全部楼层


haoren007 发表于 2022-6-20 08:41
应该是个NMOS CAP吧,整个管子区域覆盖了一层Nwell,让你误以为是个PMOS管


一般的Nmos CAP的Nwell只覆盖到管子区域。但是我反向的这个看到的照片,它围的那一圈B端也高亮了,所以也不好判断它是不是Nmos CAP
发表于 2022-6-20 13:43:39 | 显示全部楼层
同意楼上的。用NMOS拿来做滤波,一般接GND。PMOS一般会接电源。
如果PMOS接地,需要特别注意源漏附近和其他N型注入的隔离,不要有LU产生。
发表于 2022-6-20 15:45:58 | 显示全部楼层
学习了……
发表于 2022-6-20 16:28:55 | 显示全部楼层
是个nmos电容吧,用来非输出过滤信号用的
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