可增加应用程序的512Kbi的Serial SRAM芯片23LC512

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传统上，有两种方法可以增加应用程序的ram：
使用更大的微控制器(MCU)：如果必须购买更大、更昂贵的MCU以获得更多RAM，则此选项的吸引力较小
使用外部并行RAM：但并行RAM使用大型封装，通常需要至少16-20个I/O
串行SRAM提供了在设计中添加RAM的灵活性，而没有大型MCU或并行RAM的缺点，并使用简单的4针SPI接口。这些器件还通过SDI和SQI接口提供了更高的性能，可将数据速率提高多达4倍。

下面介绍一款可增加应用程序的512Kbi的Serial SRAM芯片23LC512，需了解更多产品相关资料及技术支持可联系英尚微电子。

Microchip型号23LC512容量512Kbit串行SRAM，与现在许多MCU系列的串行外设接口端口连接。它还可以通过使用在固件中正确编程以匹配SPI协议的离散I/O线与没有内置SPI端口的微控制器连接。23LC512还能够在SDI/SQI高速SPI模式下工作。

Microchip微芯23LC512存储器通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问。所需的总线信号是时钟输入(SCK)加上单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线。通过芯片选择(CS)输入控制对器件的访问。如果应用需要更快的数据速率，还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四接口）。该器件还支持对存储器阵列的无限制读写。23LC512采用标准封装，包括8-引线SOIC、PDIP和先进的8引线TSSOP。