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本帖最后由 ovicovic 于 2022-6-8 22:27 编辑
我做了一个GaAs前端芯片,将要进行一个功放的片上测试,有几个测试上的疑问。
1. 由于第一次设计版图,电路上方的电压偏置PAD没有预留接地PAD,只有在RF I/O有GSG PAD,那用探针卡接入偏置PAD的时候,如何保证偏置端接地良好呢?
2. 由于有电流偏置的需求,电流偏置端如果对地电容比较大,会影响性能,如何考虑探针台和直流电源(限制保护电流可等效成电压源)之间的链接呢?3. 使用直流电源作为电流源,除了设定最大保护电流为工作电流,还有什么保护需要设置呢?
PS:使用电流源偏置的参考文献:
Zhao, Yulong, et al. "Theory and design methodology for reverse-modulated dual-branch power amplifiers applied to a 4G/5G broadband GaN MMIC PA design." IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 69.6 (2021): 3120-3131. (电流偏置功率放大器)
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