设为首页收藏本站

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

切换到宽版

手机号码，快捷登录

创芯云服务 : 创芯大讲堂 | 创芯人才网 | 数字IC职业培训 EETOP诚邀线上IC培训讲师!

搜帖子

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › 半导体新材料 › 高K栅介质AlGaN GaN MOS--HEMT器件研究 - 岳远征西安电 ...

发新帖

查看: 2058|回复: 3

[资料] 高K栅介质AlGaN GaN MOS--HEMT器件研究 - 岳远征西安电子科技大学博士论文

发表于 2022-5-8 17:08:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

很好的资料

高K栅介质AlGaN GaN MOS--HEMT器件研究 - 岳远征西安电子科技大学博士论文.pdf.pdf

25.87 MB, 下载次数: 48 , 下载积分: 资产 -8 信元, 下载支出 8 信元

回复

发表于 2022-6-26 10:52:20 | 显示全部楼层

资料不错，多谢分享

EETOP创芯人才网简历投递入口

回复支持反对

发表于 2022-7-18 17:11:33 | 显示全部楼层

very good , thanks for sharing

回复支持反对

发表于 2023-1-4 13:16:59 | 显示全部楼层

Thanks a lot ~~~

EETOP创芯人才网职位发布入口

回复支持反对

发新帖

高级模式

B Color Image Link Quote Code Smilies

您需要登录后才可以回帖登录 | 注册

本版积分规则回帖后跳转到最后一页

关闭

站长推荐 /1

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-17 23:57 , Processed in 0.018757 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

快速回复 返回顶部 返回列表