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[资料] 高K栅介质AlGaN GaN MOS--HEMT器件研究 - 岳远征西安电子科技大学博士论文

发表于 2022-5-8 17:08:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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很好的资料

高K栅介质AlGaN GaN MOS--HEMT器件研究 - 岳远征西安电子科技大学博士论文.pdf.pdf

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发表于 2022-6-26 10:52:20 | 显示全部楼层

资料不错，多谢分享

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发表于 2022-7-18 17:11:33 | 显示全部楼层

very good , thanks for sharing

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发表于 2023-1-4 13:16:59 | 显示全部楼层

Thanks a lot ~~~

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