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[求助] 怎么理解SMIC中mis_ckt的MOS和标准MOS?应使用谁来跑MC?

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发表于 2022-4-25 16:44:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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之前以为是用mis_ckt的MOS来搭配mos_mc library,跑蒙特卡洛仿真,但是最近在工艺库里看到HSPICE的一个实例,用的标准MOS搭配mc库,mis_ckt搭配标准库,不太确定哪种方法是对的。恳求各位前辈指点。

mc仿真示例

mc仿真示例


发表于 2022-4-26 08:56:11 | 显示全部楼层
一般先要看工艺文档来确定,mis_ckt是包含了失配模型的所以要用这种管子,但是有些工艺是没有单独做,所以用正常管子就可以,所以具体要看工艺文档
 楼主| 发表于 2022-4-26 10:54:10 | 显示全部楼层


敬山一休 发表于 2022-4-26 08:56
一般先要看工艺文档来确定,mis_ckt是包含了失配模型的所以要用这种管子,但是有些工艺是没有单独做,所以 ...


我看了一下工艺文档,mos_mc下跑n12ll,以vth为例,会给一个高斯函数a,认为阈值浮动-0.036*a。mos_mc下跑mis_ckt的话,就会在-0.036*a后,再增加mis相关的高斯函数。TT下跑n12ll,认为vth浮动为0;TT下跑mis_ckt,只有mis相关的高斯函数,无0.036*a的项。
这些参数和我们切换工艺角跑出来的偏差是不是两回事呢?比如mc下跑2个n12ll,2个n12ll都会有同样的高斯a变化;跑2个mis_ckt,则2个管子不仅每个管子发生同样的高斯a变化,还会彼此之间有失配的差别。这些都是基于共同工艺角的仿真,还是已经考虑了工艺角带来的偏差呢?
 楼主| 发表于 2022-4-26 11:00:27 | 显示全部楼层
本帖最后由 Sarahlln 于 2022-4-26 11:05 编辑


敬山一休 发表于 2022-4-26 08:56
一般先要看工艺文档来确定,mis_ckt是包含了失配模型的所以要用这种管子,但是有些工艺是没有单独做,所以 ...


感谢您的指点!
发表于 2022-4-26 14:04:29 | 显示全部楼层


Sarahlln 发表于 2022-4-26 10:54
我看了一下工艺文档,mos_mc下跑n12ll,以vth为例,会给一个高斯函数a,认为阈值浮动-0.036*a。mos_mc下 ...


是不一样的,在蒙特卡洛分析中有两种,一种是单纯的mismatch,还有一种是process+mismatch,当然这也是和工艺有关的,我印象中台积电是支持的,做的比较好
 楼主| 发表于 2022-4-26 14:20:28 | 显示全部楼层


敬山一休 发表于 2022-4-26 14:04
是不一样的,在蒙特卡洛分析中有两种,一种是单纯的mismatch,还有一种是process+mismatch,当然这也是和 ...


非常感谢
发表于 2023-2-11 20:34:30 | 显示全部楼层
想来请教一下,
1.所以最后,在smic55的工艺,在仿真MC时候,如果勾选process+mismatch的话,是应该对应在原理图上把普通的管子改成mis_ckt的对么?如果不改成mis_ckt的话,是不是就只是跑process的蒙卡?
2.那对应的版图,是应该也是mis_ckt的管子版图咯?是这个意思嘛?
2.这个蒙卡的工艺文件具体是哪个呀?我咋没找到...
 楼主| 发表于 2023-2-13 16:54:26 | 显示全部楼层


西兰花 发表于 2023-2-11 20:34
想来请教一下,
1.所以最后,在smic55的工艺,在仿真MC时候,如果勾选process+mismatch的话,是应该对应在 ...


1.是的

2.版图不影响
3.在model选的.lib文件里,你对应去翻MOS_MC的库是怎么写的,能溯源到函数,函数里就能给出模型是怎么设置,然后这么判断的
发表于 2023-2-13 19:17:48 | 显示全部楼层
懂了,找到了,感恩!
发表于 2023-2-13 20:37:23 | 显示全部楼层


Sarahlln 发表于 2023-2-13 16:54
1.是的

2.版图不影响


再请教一下,

您说版图不影响的意思是:版图里面依然用标准管子,pex后仿正常跑corner和蒙卡的意思?
但是我看见 版图调入器件有 XXX_mis_ckt的器件,里面的 mismatch flag 可选0或1.   


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