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查看: 2102|回复: 3

[求助] DDR4 写时序

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发表于 2022-4-23 11:44:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问有哪位使用过 Micron 的 DDR4 mode l做过仿真?是否碰到过以下信息?具体是什么错误?

Expecting dqs to toggle around write burst @xxx ns


多谢!

发表于 2022-4-23 15:18:09 | 显示全部楼层
看上去是controller发出的dqs时序不对。
dqs是ddr data strobe信号,双向。在write operation时,dqs和dq是controller发出,一般controller会做writer leveling,保证发出的dqs和dq bus中间对齐;read operation时,dqs和dq是ddr颗粒输出,是沿对齐,controller内部会进行read leveling。
 楼主| 发表于 2022-4-23 22:41:16 | 显示全部楼层


aegeus 发表于 2022-4-23 15:18
看上去是controller发出的dqs时序不对。
dqs是ddr data strobe信号,双向。在write operation时,dqs和dq是 ...


谢谢。但从waveform看,报错的那个时刻,dqs确实在dq的中间。

发表于 2022-4-24 09:50:55 | 显示全部楼层
可能是波形上的实际write latency和写入进ddr4的参数值不一致
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