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[求助] tsmc18rf 一开始DRC就有的错误,小白求助

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发表于 2022-4-12 10:32:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 无心橙橙 于 2022-4-12 11:12 编辑

Nwell pickup OD to PMOS space >30um,求前辈们解释一下这个错误是什么意思,要怎么改呢?我在DRC rules文档找了很久找不到这个错误。谢谢了 cadence-2022-04-11-22-50-04.png cadence-2022-04-12-10-58-51.png
发表于 2022-4-12 10:47:11 | 显示全部楼层
Nwell 的 OD 层距离PMOS 太近了,大概是这个意思,你高亮一下这个错误,就能看到在哪个位置了。另外能分享一下drc rule 文档吗?
发表于 2022-4-12 10:47:11 | 显示全部楼层
能把错误截图发出来吗,你这说的不是很详细啊
发表于 2022-4-12 10:56:54 来自手机 | 显示全部楼层
做在NWell里的PMOS管没有画N+衬底接触,或者距离PMOS管最近的N+接触间距大于了30um。应尽量控制在30um以内,如果可能的话,PMOS与其衬底接触N+应绘制符合要求的最小间距,以防Latchup
 楼主| 发表于 2022-4-12 10:59:36 | 显示全部楼层


周末不上班 发表于 2022-4-12 10:47
能把错误截图发出来吗,你这说的不是很详细啊


cadence-2022-04-12-10-58-51.png
 楼主| 发表于 2022-4-12 11:06:29 | 显示全部楼层


gammer123 发表于 2022-4-12 10:47
Nwell 的 OD 层距离PMOS 太近了,大概是这个意思,你高亮一下这个错误,就能看到在哪个位置了。另外能分享 ...


但是这个错误是我从原理图导入到版图就有的,我不知道怎么改。我看的layout rules 文档是这个https://wwm.lanzoul.com/iSVxm031hfeb

T018LODR001_2_8.pdf

6.8 MB, 下载次数: 6 , 下载积分: 资产 -3 信元, 下载支出 3 信元

 楼主| 发表于 2022-4-12 11:10:32 | 显示全部楼层


lfsundahuan 发表于 2022-4-12 10:56
做在NWell里的PMOS管没有画N+衬底接触,或者距离PMOS管最近的N+接触间距大于了30um。应尽量控制在30um以内 ...


就是说是mos管的错误吗?这个错误是我从原理图导入到版图就有的,mos管是直接用工艺库的,不是我画的,不知道怎么改 cadence-2022-04-12-10-58-51.png
发表于 2024-5-9 20:41:20 | 显示全部楼层
同问请问老哥最后怎么解决的?
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