tsmc18rf 一开始DRC就有的错误，小白求助

无心橙橙 · 发表于 2022-4-12 10:32:52

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本帖最后由无心橙橙于 2022-4-12 11:12 编辑

Nwell pickup OD to PMOS space >30um,求前辈们解释一下这个错误是什么意思，要怎么改呢？我在DRC rules文档找了很久找不到这个错误。谢谢了

gammer123 · 发表于 2022-4-12 10:47:11

Nwell 的 OD 层距离PMOS 太近了，大概是这个意思，你高亮一下这个错误，就能看到在哪个位置了。另外能分享一下drc rule 文档吗？

周末不上班 · 发表于 2022-4-12 10:47:11

能把错误截图发出来吗，你这说的不是很详细啊

lfsundahuan · 发表于 2022-4-12 10:56:54

做在NWell里的PMOS管没有画N+衬底接触，或者距离PMOS管最近的N+接触间距大于了30um。应尽量控制在30um以内，如果可能的话，PMOS与其衬底接触N+应绘制符合要求的最小间距，以防Latchup

无心橙橙 · 发表于 2022-4-12 10:59:36

周末不上班发表于 2022-4-12 10:47
能把错误截图发出来吗，你这说的不是很详细啊

无心橙橙 · 发表于 2022-4-12 11:06:29

gammer123 发表于 2022-4-12 10:47
Nwell 的 OD 层距离PMOS 太近了，大概是这个意思，你高亮一下这个错误，就能看到在哪个位置了。另外能分享 ...

但是这个错误是我从原理图导入到版图就有的，我不知道怎么改。我看的layout rules 文档是这个https://wwm.lanzoul.com/iSVxm031hfeb

无心橙橙 · 发表于 2022-4-12 11:10:32

lfsundahuan 发表于 2022-4-12 10:56
做在NWell里的PMOS管没有画N+衬底接触，或者距离PMOS管最近的N+接触间距大于了30um。应尽量控制在30um以内 ...

就是说是mos管的错误吗？这个错误是我从原理图导入到版图就有的，mos管是直接用工艺库的，不是我画的，不知道怎么改

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