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查看: 2032|回复: 6

[求助] LDO功率管的W为什么会影响Vdropout

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发表于 2022-3-29 21:21:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如图c)所示,为啥W增大,VDO(Vdropout)会随之变小;还有为啥VIN增大,VDO(Vdropout)会变小?
发表于 2022-3-29 21:50:24 | 显示全部楼层
Increasesing the device Width (for a fixed current) will decrease the Vdsat of the PMOS device thats why you get lower Vdrop, for the 2nd question Vdo= Vout -Vin , so it makes perfect sence if Vin goes up Vdo goes down
发表于 2022-3-29 21:59:44 | 显示全部楼层
May you share the paper or the book ?
发表于 2022-3-29 22:19:22 | 显示全部楼层
在相同负载条件下,w越大,过驱动电压越小,更容易工作在饱和区吧
 楼主| 发表于 2022-3-29 22:37:49 | 显示全部楼层


chris2013 发表于 2022-3-29 21:50
Increasesing the device Width (for a fixed current) will decrease the Vdsat of the PMOS device thats ...


对于第二个问题,Vdo=vin-vout吧
发表于 2022-3-30 07:16:47 | 显示全部楼层


chris2013 发表于 2022-3-29 21:59
May you share the paper or the book ?


High Slew-Rate Push–Pull Output Amplifier for Low-Quiescent Current Low-Dropout Regulators With Transient-Response Improvement



发表于 2022-3-30 21:31:01 | 显示全部楼层


努力学ic的小叶 发表于 2022-3-29 22:37
对于第二个问题,Vdo=vin-vout吧


Oh Sorry I Confused a liitle, Yes you are right.

in Figure C for the same current reducing the Vsg will require higher value for Vsd remeber the square law model (Ids=0.5*Un*Cox*W/L * (Vgs-vth)^2 .(1+lamda Vds) )

I hope its clear now.
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